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参数资料
| 型号： | 4N35-X001 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 光电耦合器 |
| 英文描述： | Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 6-Pin PDIP |
| 中文描述： | Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Single CTR>100% |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | 4N35-X001 |
4N35-X, 4N36-X, 4N37-X, 4N38
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Rev. 1.8, 16-Jan-12
5
Document Number: 83717
For technical questions, contact: optocoupleranswers@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
Fig. 9 - Normalized CTR (NS) vs. Forward Current
Fig. 10 - Normalized CTR (sat) vs. Forward Current
Fig. 11 - CTR Frequency vs. Phase Angle
Fig. 12 - CTR Frequency vs. Collector Current
Fig. 13 - Switching Time vs. Load Resistance
0
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.2
0.1
100
I
F - Forward Current (mA)
CTR
Norm
-
Normalized
CTR
(N
S
)
110
T
amb = - 55 °C
T
amb = - 40 °C
T
amb = 0 °C
T
amb = 25 °C
T
amb = 50 °C
T
amb = 75 °C
T
amb = 100 °C
V
CE = 5 V
0
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.2
0.1
100
I
F - Forward Current (mA)
CTR
Norm
-
Normalized
CTR
(
s
at)
110
T
amb = - 55 °C
T
amb = - 40 °C
T
amb = 0 °C
T
amb = 25 °C
T
amb = 50 °C
T
amb = 75 °C
T
amb = 100 °C
V
CE = 0.4 V
- 160
- 140
- 60
- 40
0
1
1000
f - Frequency (kHz)
Pha
s
e
(deg)
- 20
10
100
V
CE = 5 V
- 80
- 100
- 120
1
10
1000
0.1
100
I
C - Collector Current (mA)
f CTR
-
CTR
Fre
q
uency
(kHz)
100
110
V
CC = 5 V
0.1
1
10
1000
0.1
100
R
L - Load Resistance (kΩ)
t on
,t
off
-
S
witching
Time
(μ
s
)
100
110
V
CE = 5 V, IF = 10 mA
t
on
t
off
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 4N35-X007 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35-X007T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35-X009 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35-X009T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR >100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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