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参数资料
| 型号： | 4N35-X001 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 光电耦合器 |
| 英文描述： | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-6 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | 4N35-X001 |
www.vishay.com
For technical questions, contact: optocoupler.answers@vishay.com
Document Number: 83717
158
Rev. 1.5, 07-May-08
4N35/4N36/4N37/4N38
Vishay Semiconductors
Optocoupler, Phototransistor Output,
with Base Connection
Fig. 13 - Switching Timing
Fig. 14 - Switching Schematic
PACKAGE DIMENSIONS in millimeters (inches)
For 4N35/36/37/38..... see DIL300-6 Package dimension in the Package Section.
For products with an option designator (e.g. 4N35-X006 or 4N36-X007)..... see DIP-6 Package dimensions in the Package
Section.
DIL300-6 Package Dimensions
DIP-6 Package Dimensions
i4n25_13
IF
tR
= 1.5 V
VO
tD
tS
tF
tPHL
tPLH
VTH
i4n25_14
V
CC = 5.0 V
F = 10 kHz
DF = 50 %
R
L
V
O
I
F = 10 mA
14770
6.4 max.
7.62 ± 0.1
B
0.4 B
technical drawings
according to DIN
specifications
Weight: ca. 0.50 g
Creepage distance: > 6 mm
Air path: > 6 mm
after mounting on PC board
1 2 3
6 5 4
8.8 max.
8.6 max.
1.54
4.2
±
0.1
2.54 nom.
5.08 nom.
0.58 max.
3.3
0.5
min.
0.3 A
A
9 ± 0.6
0.3 max.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N36-X001 | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N35 | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N37-X009 | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N37-X019 | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N37 | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N35-X006 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35-X007 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35-X007T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35-X009 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35-X009T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR >100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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