型号: | 4N35MTA-V |
厂商: | Everlight Electronic Co., Ltd. |
英文描述: | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
中文描述: | 6引脚DIP光电晶体管光电耦合器 |
文件页数: | 1/13页 |
文件大小: | 376K |
代理商: | 4N35MTA-V |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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4N35MTB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
4N35S1TA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
4N35S1TB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
4N35STB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
4N35V | Optocoupler with Phototransistor Output |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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4N35MTB-V | 制造商:EVERLIGHT 制造商全称:Everlight Electronics Co., Ltd 功能描述:6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
4N35M-V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
4N35S | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 PTR 100%, 3.5KV RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
4N35S(TA) | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
4N35S(TA)-V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |