参数资料
型号: 4N35S1(TA)
厂商: EVERLIGHT ELECTRONICS CO LTD
元件分类: 光电耦合器
英文描述: 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
封装: ROHS COMPLIANT, SURFACE MOUNT, DIP-6
文件页数: 12/13页
文件大小: 862K
代理商: 4N35S1(TA)
6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR
PHOTOCOUPLER
Everlight Electronics Co., Ltd.
8
http:\\www.everlight.com
Document No:DPC-0000045 Rev. 2
December 28, 2009
4N2X Series
4N3X Series
H11AX Series
Package Drawings
(Dimensions in mm)
Standard DIP Type
Option M Type
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
4N35S1TA-V 制造商:EVERLIGHT 制造商全称:Everlight Electronics Co., Ltd 功能描述:6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER
4N35S1TB-V 制造商:EVERLIGHT 制造商全称:Everlight Electronics Co., Ltd 功能描述:6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER
4N35SD 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler SM-DIP6 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
4N35SHORT 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:PHOTO TRANSISTOR (AC LINE/DIGITAL LOGIC ISOLATOR)
4N35SM 功能描述:晶体管输出光电耦合器 PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk