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参数资料
| 型号： | 4N35S |
| 厂商： | LITE-ON ELECTRONICS INC |
| 元件分类： | 光电耦合器 |
| 英文描述： | IC 4N35S OPTOISOLATOR SMT |
| 中文描述： | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封装： | SURFACE MOUNT, DIP-6 |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 241K |
| 代理商： | 4N35S |
LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION
Property of LITE-ON Only
CHARACTERISTICS CURVES
Fig.1 Forward Current vs. Ambient
Fig.2 Collector Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
Fig.3 Forward Current vs. Forward
F
60
80
40
100
20
0
-55
0
25
50
75
125
100
100 125
75
50
25
0
-55
0
200
300
400
500
10
1
200
100
50
20
2
5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
Ta= 75 C
50 C
25 C
0 C
-25 C
10
15
5
50
20
F
5mA
2mA
Pc(MAX.)
I = 15mA
Ta= 25 C
V = 10V
30
20
0
5
210
1
0
F
Collector-emitter Voltage
Fig.5 Collector Current vs.
Forward Current
Fig.4 Current Transfer Ratio vs.
-25
0.1 0.2
0.5
100
10mA
100
20
40
60
80
100
120
140
160
R =
10
Fig.6 Relative Current Transfer Ratio
vs. Ambient Temperature
150
100
50
0
-55
0
25
50
75
100
-25
F
o
rw
a
rd
c
u
rr
e
n
t
I
(m
A
)
F
o
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A
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F
C
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n
t
Ic
(m
A
)
R
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(%
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C
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C
T
R
(%
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C
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P
o
w
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d
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s
ip
a
ti
o
n
P
c
(m
W
)
Ambient temperature Ta ( C)
Forward voltage V (V)
Collector-emitter voltage V (V)
Ambient temperature Ta ( C)
Forward current I (mA)
Ambient temperature Ta ( C)
Temperature
o
100k
Voltage
VCE= 10V
IF= 10mA
Part No. : 4N35 / 4N37 ( M, S, S-TA1 )
Page :
8 of 10
BNS-OD-C131/A4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N37 | OPTOISOLATOR W/BASE 6-DIP |
| 4N37S | OPTOISOLATOR W/BASE SMD |
| 4N35S-TA1 | |
| 4N37S-TA1 | |
| 4N35M | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N35S(TA) | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35S(TA)-V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35S(TB) | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35S(TB)-V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35S1(TA) | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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