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参数资料
| 型号： | 4N38M |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOCOUPLER DARL OUT GP 6DIP |
| 产品目录绘图： | Opto 6-DIP Package |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5300Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 20% @ 2mA |
| 输出电压： | 80V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 100mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 80mA |
| Vce饱和（最大）： | 1V |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 6-DIP（0.320"，8.13mm） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 2759 (CN2011-ZH PDF) |
September 2009
4N38M, H11D1M, H11D2M, H11D3M, MOC8204M
High Voltage Phototransistor Optocouplers
Features
■ High voltage:
– MOC8204M, BV CER = 400V
– H11D1M, H11D2M, BV CER = 300V
– H11D3M, BV CER = 200V
■ High isolation voltage:
– 7500 V AC peak, 1 second
■ Underwriters Laboratory (UL) recognized
File # E90700, Volume 2
General Description
The 4N38M, H11DXM and MOC8204M are photo-
transistor-type optically coupled optoisolators. A gallium
arsenide infrared emitting diode is coupled with a high
voltage NPN silicon phototransistor. The device is sup-
plied in a standard plastic six-pin dual-in-line package.
■
IEC 60747-5-2 approved (ordering option V)
Applications
■ Power supply regulators
■ Digital logic inputs
■ Microprocessor inputs
■ Appliance sensor systems
■ Industrial controls
Schematic
ANODE 1
CATHODE 2
N/C 3
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
6 BASE
5 COLLECTOR
4 EMITTER
Package Outlines
www.fairchildsemi.com
4N38M, H11D1 M, H11D2M, H11D3M, MOC8204M Rev. 1.0.6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HCPL2730SD | OPTOCOUPLER DARL-OUT 2CH 8-SMD |
| 1-86264-7 | CONN RCPT 26POS .100 |
| HF365/26SF | CABLE 26COND RIBBON LT GRY 50FT |
| HCPL2730V | OPTOCOUPLER 2CH TRANS OUT 8-DIP |
| AE24B-50-ND | CABLE 24 COND MULTI 50' RIBBON |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N38MTA-V | 制造商:EVERLIGHT 制造商全称:Everlight Electronics Co., Ltd 功能描述:6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N38MTB-V | 制造商:EVERLIGHT 制造商全称:Everlight Electronics Co., Ltd 功能描述:6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N38M-V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N38S | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 HV PHOTO TRAN RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N38S(TA) | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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