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参数资料
| 型号： | 5082-2835 |
| 厂商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 射频混频器 |
| 英文描述： | SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE |
| 封装： | 01, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 11K |
| 代理商： | 5082-2835 |
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1202 FAX (818) 765-3004
1/1
Specifications are subject to change without
CHARACTERISTICS TC = 25 °C
NONE
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MINIMUM
TYPICAL
MAXIMUM
UNITS
VR
IR = 100
A
8.0
V
IR
VR = 1.0 V
100
A
VF
IF = 1.0 mA
IF = 10 mA
340
450
mV
Ct
VR = 0 V
f = 1.0 MHz
1.0
pF
ττττ
IF = 20 mA
100
pS
SCHOTTKY BARRIER DIODE
5082-2835
DESCRIPTION:
The
ASI 5082-2835 is a Silicon Small
Signal Schottky Diode Designed for
General Purpose UHF/VHF Detection
and Pulse Applications. Color Band
Indicates Cathode.
MAXIMUM RATINGS
I
20 mA
V
8.0 V
PDISS
250 mW @ TC = 25 °C
TJ
-65 °C to +200 °C
TSTG
-65 °C to +200 °C
PACKAGE STYLE 01
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5082-2837 | SILICON, MIXER DIODE |
| 5082-2837 | SILICON, MIXER DIODE |
| 5082-2837 | SILICON, MIXER DIODE |
| 5082-2900 | SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE |
| 5082-3001 | 200 V, SILICON, PIN DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 5082-2835#T25 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 8 VBR 1 pF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 5082-2835#T50 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 8 VBR 1 pF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 5082-2835 | 制造商:Avago Technologies 功能描述:DIODE RF SCHOTTKY |
| 5082-2835_1008 | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| 5082-2836 | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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