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参数资料
| 型号： | 50PFR80 |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 50 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 封装： | PLASTIC, DO-5, 1 PIN |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | 50PFR80 |
www.vishay.com
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com
Document Number: 93516
2
Revision: 01-Oct-08
50PF(R)...(W) Series
Vishay High Power Products
Standard Recovery Diodes,
Generation 2 DO-5 (Stud Version), 50 A
Notes
(1) As general recommendation we suggest to tight on Hexagon and not on nut
(2) Torque must be applicable only to Hexagon and not to plastic structure
FORWARD CONDUCTION
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum average forward current
at case temperature
IF(AV)
180° conduction, half sine wave
50
A
140
°C
Maximum RMS forward current
IF(RMS)
78
A
Maximum peak, one-cycle forward,
non-repetitive surge current
IFSM
t = 10 ms
No voltage
reapplied
Sinusoidal half wave,
initial TJ = 150 °C
800
A
t = 8.3 ms
830
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
670
t = 8.3 ms
700
Maximum I2t for fusing
I2t
t = 10 ms
No voltage
reapplied
3200
A2s
t = 8.3 ms
2900
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
2260
t = 8.3 ms
2050
Maximum I2
√t for fusing
I2
√t
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied
32 000
A2
√s
Low level value of threshold voltage
VF(TO)
(16.7 % x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ maximum
0.77
V
Low level value of forward
slope resistance
rf
(16.7 % x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ maximum
4.30
m
Ω
Maximum forward voltage drop
VFM
Ipk = 125 A, TJ = 25 °C, tp = 400 s rectangular wave
1.40
V
THERMAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum junction operating and
storage temperature range
TJ, TStg
- 55 to 180
°C
Maximum thermal resistance,
junction to case
RthJC
DC operation
0.51
K/W
Maximum thermal resistance,
case to heatsink
RthCS
Mounting surface, smooth, flat and greased
0.25
Allowable mounting torque
Tighting on nut (1)
Not lubricated threads
3.4 + 0 - 10 %
(30)
N m
(lbf in)
Tighting on Hexagon (2)
Lubricated threads
2.3 + 0 - 10 %
(20)
Approximate weight
15.8
g
0.56
oz.
Case style
See dimensions - link at the end of datasheet
DO-203AB (DO-5)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 50PF80W | 50 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 52PFR80W | 50 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 50PF40W | 50 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 52PF120 | 50 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 50PF120 | 50 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 50PFR-80 | 制造商:TRSYS 制造商全称:Transys Electronics 功能描述:STANDARD RECOVERY DIODE |
| 50PFR80W | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:STANDARD RECOVERY DIODES GEN II DO5 |
| 50PFV100M10X10.5 | 功能描述:100μF 50V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 28 mOhm 4000 Hrs @ 125°C 制造商:rubycon 系列:PFV，混合物 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 电容:100μF 容差:±20% 额定电压:50V ESR（等效串联电阻）:28 毫欧 不同温度时的使用寿命:125°C 时为 4000 小时 工作温度:-55°C ~ 125°C 极化:极化 应用:通用 纹波电流:80mA 阻抗:- 引线间距:- 大小/尺寸:0.394" 直径（10.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.413"（10.50mm） 表面贴装焊盘尺寸:0.406" 长 x 0.406" 宽（10.30mm x 10.30mm） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:径向，Can - SMD 标准包装:1 |
| 50PFV22M6.3X6.1 | 功能描述:CAP ALUM POLY 22UF 20% 50V SMD 制造商:rubycon 系列:PFV 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:混合物 电容:22μF 容差:±20% 电压 - 额定:50V ESR（等效串联电阻）:80 毫欧 不同温度时的使用寿命:125°C 时为 4000 小时 工作温度:-55°C ~ 125°C 等级:AEC-Q200 应用:汽车级 引线间距:- 大小/尺寸:0.248" 直径（6.30mm） 高度 - 安装（最大值）:0.240"（6.10mm） 表面贴装焊盘尺寸:0.260" 长 x 0.260" 宽（6.60mm x 6.60mm） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:径向，Can - SMD 标准包装:1 |
| 50PFV33M6.3X8 | 功能描述:CAP ALUM POLY 33UF 20% 50V SMD 制造商:rubycon 系列:PFV 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:混合物 电容:33μF 容差:±20% 电压 - 额定:50V ESR（等效串联电阻）:40 毫欧 不同温度时的使用寿命:125°C 时为 4000 小时 工作温度:-55°C ~ 125°C 等级:AEC-Q200 应用:汽车级 引线间距:- 大小/尺寸:0.248" 直径（6.30mm） 高度 - 安装（最大值）:0.315"（8.00mm） 表面贴装焊盘尺寸:0.260" 长 x 0.260" 宽（6.60mm x 6.60mm） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:径向，Can - SMD 标准包装:1 |
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