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参数资料
| 型号： | 50PFR80W |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 50 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 封装： | PLASTIC, DO-5, 1 PIN |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 619K |
| 代理商： | 50PFR80W |
50PF (R)...(W) Series
3
Bulletin I20105 rev. D 01/05
www.irf.com
Parameter
Units
Conditions
50PF (R)...(W)
40 to 120
TJ
Max. junction operating temperature range
-55 to 180
T
stg
Max. storage temperature range
-55 to 180
R
thJC
Max. thermal resistance, junction to case
0.51
DC operation
R
thCS
Max. thermal resistance, case
Mounting surface, smooth, flat and
to heatsink
greased
T
Allowable mounting torque
3.4 +0-10%
N m
Tighting on nut (1)
30
lbf
in Not lubricated threads
2.3 +0-10%
N m
Tighting on hexagon (2)
20
lbf
in Lubricated threads
wt
Approximate weight
15.8 (0.56)
g (oz)
Case style
DO-203AB (DO5)
See Outline Table
°C
0.25
K/W
Thermal and Mechanical Specifications
180°
0.11
0.10
T
J = TJ max.
120°
0.16
90°
0.20
0.22
60°
0.29
0.31
30°
0.49
0.50
Conduction angle
Sinusoidal conduction
Rectangular conduction Units
Conditions
K/W
R
thJC Conduction
(The following table shows the increment of thermal resistence RthJC when devices operate at different conduction angles than DC)
(1) As general recommendation we suggest to tight on Hexagon and not on nut
(2) Torque must be appliable only to Hexagon and not to plastic structure
110
120
130
140
150
160
170
180
0
10
203040
5060
30
60
90
120
180
Conduction Angle
50PF(R) Serie
RthJC = 0.51 K/W
120
130
140
150
160
170
180
0
10
203040
5060
7080
DC
30
60
90
120
180
Conduction Period
50PF(R) Series
RthJC (DC) = 0.51 K/W
Average Forward Current (A)
Fig. 1 - Current Ratings Characteristics
Average Forward Current (A)
Fig. 2 - Current Ratings Characteristics
Maximum
Allowable
Case
Temperature
(°C)
Maximum
Allowable
Case
Temperature
(°C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 52PF120W | 50 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 52PFR40 | 50 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 52PFR80 | 50 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 50PFR40W | 50 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 50PFR40 | 50 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 50PFV100M10X10.5 | 功能描述:100μF 50V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 28 mOhm 4000 Hrs @ 125°C 制造商:rubycon 系列:PFV，混合物 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 电容:100μF 容差:±20% 额定电压:50V ESR（等效串联电阻）:28 毫欧 不同温度时的使用寿命:125°C 时为 4000 小时 工作温度:-55°C ~ 125°C 极化:极化 应用:通用 纹波电流:80mA 阻抗:- 引线间距:- 大小/尺寸:0.394" 直径（10.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.413"（10.50mm） 表面贴装焊盘尺寸:0.406" 长 x 0.406" 宽（10.30mm x 10.30mm） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:径向，Can - SMD 标准包装:1 |
| 50PFV22M6.3X6.1 | 功能描述:CAP ALUM POLY 22UF 20% 50V SMD 制造商:rubycon 系列:PFV 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:混合物 电容:22μF 容差:±20% 电压 - 额定:50V ESR（等效串联电阻）:80 毫欧 不同温度时的使用寿命:125°C 时为 4000 小时 工作温度:-55°C ~ 125°C 等级:AEC-Q200 应用:汽车级 引线间距:- 大小/尺寸:0.248" 直径（6.30mm） 高度 - 安装（最大值）:0.240"（6.10mm） 表面贴装焊盘尺寸:0.260" 长 x 0.260" 宽（6.60mm x 6.60mm） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:径向，Can - SMD 标准包装:1 |
| 50PFV33M6.3X8 | 功能描述:CAP ALUM POLY 33UF 20% 50V SMD 制造商:rubycon 系列:PFV 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:混合物 电容:33μF 容差:±20% 电压 - 额定:50V ESR（等效串联电阻）:40 毫欧 不同温度时的使用寿命:125°C 时为 4000 小时 工作温度:-55°C ~ 125°C 等级:AEC-Q200 应用:汽车级 引线间距:- 大小/尺寸:0.248" 直径（6.30mm） 高度 - 安装（最大值）:0.315"（8.00mm） 表面贴装焊盘尺寸:0.260" 长 x 0.260" 宽（6.60mm x 6.60mm） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:径向，Can - SMD 标准包装:1 |
| 50PFV68M8X10.5 | 功能描述:68μF 50V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 30 mOhm 4000 Hrs @ 125°C 制造商:rubycon 系列:PFV，混合物 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 电容:68μF 容差:±20% 额定电压:50V ESR（等效串联电阻）:30 毫欧 不同温度时的使用寿命:125°C 时为 4000 小时 工作温度:-55°C ~ 125°C 极化:极化 应用:通用 纹波电流:25mA 阻抗:- 引线间距:- 大小/尺寸:0.315" 直径（8.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.413"（10.50mm） 表面贴装焊盘尺寸:0.327" 长 x 0.327" 宽（8.30mm x 8.30mm） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:径向，Can - SMD 标准包装:1 |
| 50P-JMDSS-G-1-TF | 功能描述:CONN PLUG 50POS TOP 4.5MM GOLD RoHS:否 类别:连接器，互连式 >> 板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 系列:JMD 标准包装:3,000 系列:SlimStack™ 502396 连接器类型:插头，外罩触点 位置数:100 间距:0.016"（0.40mm） 行数:2 安装类型:表面贴装 特点:固定焊尾 触点表面涂层:金 触点涂层厚度:8µin（0.20µm） 包装:带卷 (TR) 配接层叠高度:2.5mm 板上方高度:0.084"（2.13mm） 其它名称:502396-1010 |
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