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参数资料
| 型号： | 50SQ060GPBF |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AR |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | 50SQ060GPBF |
50SQ...G Series
Preliminary Data Shet PD-20807 09/04
2
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
(1)
0.66
V
@ 5A
* See Fig. 1
0.77
V
@ 10A
0.52
V
@ 5A
0.62
V
@ 10A
I
RM
Max. Reverse Leakage Current (1)
0.15
mA
T
J =
25 °C
* See Fig. 2
7
mA
T
J = 125 °C
C
T
Max. Junction Capacitance
500
pF
V
R = 5VDC (test signal range 100Khz to 1Mhz) 25 °C
L
S
Typical Series Inductance
10
nH
Measured lead to lead 5mm from body
dv/dt Max. Voltage Rate of Change
10000
V/ s
(Rated V
R)
T
J =
25 °C
T
J = 125 °C
V
R = rated VR
Parameters
50SQ
Units
Conditions
Electrical Specifications
T
J
Max.JunctionTemperatureRange
-55to175
°C
T
stg
Max.StorageTemperatureRange
-55to175
°C
R
thJL
Max.ThermalResistanceJunction
8.0
°C/W DCoperation
* See Fig. 4
toLead
1/8inchleadleangth
R
thJA TypicalThermalResistance,
44
°C/W
Junction to Air
wt
ApproximateWeight
1.4(0.049) g(oz.)
CaseStyle
DO - 204AR
JEDEC
MarkingDevice
50SQ100G
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
50SQ
Units
Conditions
(1) Pulse Width < 300s, Duty Cycle < 2%
I
F(AV) Max. Average Forward Current
5
A
50% duty cycle @ T
C = 119° C, rectangular wave form
* See Fig. 5
I
FSM
Max. Peak One Cycle Non-Repetitive
1900
5s Sine or 3s Rect. pulse
Surge Current * See Fig. 7
290
10ms Sine or 6ms Rect. pulse
E
AS
Non-RepetitiveAvalancheEnergy
7.5
mJ
T
J= 25 °C, IAS = 1.0 Amps, 46 s square pulse
I
AR
RepetitiveAvalancheCurrent
1.0
A
Currentdecayinglinearlytozeroin1sec
Frequency limited by T
J max. VA = 1.5 x VR typical
Parameters
50SQ Units
Conditions
Absolute Maximum Ratings
A
Part number
50SQ060G
50SQ080G
50SQ100G
V
R
Max. DC Reverse Voltage (V)
60
80
100
VRWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)
Voltage Ratings
Following any rated
load condition and
with rated VRRMapplied
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 50SQ100GTR | 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AR |
| 50SQ080GTRPBF | 5 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AR |
| 50SQ100GTRPBF | 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AR |
| 50SQ080G | 5 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AR |
| 50SQ100GTR | 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 50SQ060GTR | 功能描述:肖特基二极管与整流器 5.0 Amp 60 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 50SQ060PBF | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Schottky 60V 5A 2-Pin DO-204AR |
| 50SQ060TR | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO-204AR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 50SQ080 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 80V 5A DO-204AR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 50SQ080G | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Schottky 80V 5A 2-Pin DO-204AR |
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