收藏本站
参数资料
型号： 50UQ03GPBF
厂商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分类： 整流器
英文描述： 5.5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
封装： ROHS COMPLIANT, SIMILAR TO TO-251, 3 PIN
文件页数： 1/7页
文件大小： 116K
代理商： 50UQ03GPBF
Document Number: 94231
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
Revision: 17-Oct-08
1
Schottky Rectifier, 5.5 A
50UQ03GPbF
Vishay High Power Products
FEATURES
150 °C TJ operation
Unique I-PAK outline
Center tap configuration
Small foot print
Low forward voltage drop
High frequency operation
Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
Lead (Pb)-free (“PbF” suffix)
Designed and qualified for AEC Q101 level
DESCRIPTION
The 50UQ03GPbF I-PAK Schottky rectifier has been
designed for applications requiring low forward drop and
small foot prints on PC board. Typical applications are in disk
drives, switching power supplies, converters, freewheeling
diodes, battery charging, and reverse battery protection.
PRODUCT SUMMARY
IF(AV)
5.5 A
VR
30 V
I-PAK
Base
cathode
Anode
1
3
4, 2
Anode
Available
RoHS*
COMPLIANT
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
SYMBOL
CHARACTERISTICS
VALUES
UNITS
IF(AV)
Rectangular waveform
5.5
A
VRRM
30
V
IFSM
tp = 5 s sine
240
A
VF
5 Apk, TJ = 125 °C
0.35
V
TJ
Range
- 40 to 150
°C
VOLTAGE RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
50UQ03GPbF
UNITS
Maximum DC reverse voltage
VR
30
V
Maximum working peak reverse voltage
VRWM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum average forward current
See fig. 5
IF(AV)
50 % duty cycle at TC = 136 °C, rectangular waveform
5.5
A
Maximum peak one cycle
non-repetitive surge current
See fig. 7
IFSM
5 s sine or 3 s rect. pulse
Following any rated load
condition and with rated
VRRM applied
240
10 ms sine or 6 ms rect. pulse
100
Non-repetitive avalanche energy
EAS
TJ = 25 °C, IAS = 2.0 A, L = 5 mH
10
mJ
Repetitive avalanche current
IAR
Current decaying linearly to zero in 1 s
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical
2.0
A
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply
相关PDF资料
PDF描述
50VF10FTRRH 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
50VF20FTRRH 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
50VF10FTRLH 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
50VF20FTR 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
50VF10FTR 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
相关代理商/技术参数
参数描述
50UQ03GPBF_12 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 5.5 A
50USC10000MEFC25X50 功能描述:10000μF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 85°C 制造商:rubycon 系列:USC 包装:散装 零件状态:在售 电容:10000μF 容差:±20% 额定电压:50V ESR（等效串联电阻）:- 不同温度时的使用寿命:85°C 时为 3000 小时 工作温度:-40°C ~ 85°C 极化:极化 应用:通用 纹波电流:5.02A @ 120Hz 阻抗:- 引线间距:0.394"（10.00mm） 大小/尺寸:0.984" 直径（25.00mm） 高度 - 安装（最大值）:2.047"（52.00mm） 表面贴装焊盘尺寸:- 安装类型:通孔 封装/外壳:径向，Can - 卡入式 标准包装:200
50USC10000MEFC30X40 功能描述:10000μF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 85°C 制造商:rubycon 系列:USC 包装:散装 零件状态:在售 电容:10000μF 容差:±20% 额定电压:50V ESR（等效串联电阻）:- 不同温度时的使用寿命:85°C 时为 3000 小时 工作温度:-40°C ~ 85°C 极化:极化 应用:通用 纹波电流:5.02A @ 120Hz 阻抗:- 引线间距:0.394"（10.00mm） 大小/尺寸:1.181" 直径（30.00mm） 高度 - 安装（最大值）:1.654"（42.00mm） 表面贴装焊盘尺寸:- 安装类型:通孔 封装/外壳:径向，Can - 卡入式 标准包装:100
50USC10000MEFC35X30 功能描述:10000μF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 85°C 制造商:rubycon 系列:USC 包装:散装 零件状态:在售 电容:10000μF 容差:±20% 额定电压:50V ESR（等效串联电阻）:- 不同温度时的使用寿命:85°C 时为 3000 小时 工作温度:-40°C ~ 85°C 极化:极化 应用:通用 纹波电流:5.02A @ 120Hz 阻抗:- 引线间距:0.394"（10.00mm） 大小/尺寸:1.378" 直径（35.00mm） 高度 - 安装（最大值）:1.260"（32.00mm） 表面贴装焊盘尺寸:- 安装类型:通孔 封装/外壳:径向，Can - 卡入式 标准包装:100
50USC10000MEFCSN25X50 功能描述:CAP ALUM 10000UF 50V 20% SNAP-IN RoHS:是 类别:电容器 >> 铝 系列:* 标准包装:2,000 系列:142 RHS 电容:4700µF 额定电压:10V 容差:±20% 寿命@温度:105°C 时为 2000 小时 工作温度:-40°C ~ 105°C 特点:通用 纹波电流:1.26A ESR（等效串联电阻）:- 阻抗:- 安装类型:通孔 封装/外壳:径向，Can 尺寸/尺寸:0.492" 直径（12.50mm） 高度 - 座高（最大）:1.063"（27.00mm） 引线间隔:0.197"（5.00mm） 表面贴装占地面积:- 包装:散装
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*