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参数资料
| 型号： | 50WQ10FN |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 5.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 封装： | SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | 50WQ10FN |
www.vishay.com
For technical questions, contact: diodestech@vishay.com
Document Number: 94235
4
Revision: 08-Jul-09
50WQ10FNPbF
Vishay High Power Products Schottky Rectifier, 5.5 A
Fig. 5 - Maximum Allowable Case Temperature vs.
Average Forward Current
Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 7 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Note
(1) Formula used: TC = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC;
Pd = Forward power loss = IF(AV) x VFM at (IF(AV)/D) (see fig. 6);
PdREV = Inverse power loss = VR1 x IR (1 - D); IR at VR1 = 80 % rated VR
120
125
130
135
140
150
145
Allowable
Case
Temperature
(°C)
IF(AV) - Average Forward Current (A)
4
35
6
7
8
0
1
2
DC
See note (1)
Square wave (D = 0.50)
80 % rated V
R applied
0
0.5
1.5
3.0
3.5
2.5
2.0
1.0
5.0
5.5
4.5
4.0
Average
Power
Loss
(W)
IF(AV) - Average Forward Current (A)
2
13
4
8
567
0
DC
RMS limit
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
100
1000
I FSM
-
Non-Repetitive
Surge
Current
(A)
tp - Square Wave Pulse Duration (s)
100
1000
10 000
10
At any rated load condition
and with rated V
RRM applied
following surge
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PDF描述 |
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