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参数资料
| 型号： | 50WQ10GPBF |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 5.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | 50WQ10GPBF |
50WQ10G
Bulletin PD-20683 rev. A 05/06
2
www.irf.com
I
F(AV) Max. Average Forward Current
5.5
A
50% duty cycle @ T
C = 135°C, rectangular wave form
* See Fig. 5
I
FSM
Max.PeakOneCycleNon-Repetitive
300
3μs Sine or 3μs Rect. pulse
Surge Current * See Fig. 7
100
6ms Sine or 6ms Rect. pulse
480
3μs Sine or 3μs Rect. pulse
165
6ms Sine or 6ms Rect. pulse
EAS Non-Repetitive Avalanche Energy
6.0
mJ
TJ = 25 °C, IAS = 0.5 Amps, L = 40 mH
I
AR
Repetitive Avalanche Current
0.5
A
Current decaying linearly to zero in 1 μsec
Frequency limited by T
J max. VA = 1.5 x VR typical
Part number
50WQ10G
V
R
Max. DC Reverse Voltage (V)
V
RWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)
Voltage Ratings
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
0.77
V
@ 5A
* See Fig. 1
(1)
0.91
V
@ 10A
0.63
V
@ 5A
0.74
V
@ 10A
I
RM
Max. Reverse Leakage Current
0.22
mA
TJ = 25 °C
* See Fig. 2
(1)
4
mA
T
J = 125 °C
V
F(TO) Threshold Voltage
0.47
V
T
J = TJ max.
r
t
Forward Slope Resistance
21.46
m
Ω
C
T
Typical Junction Capacitance
183
pF
V
R = 5VDC (test signal range 100Khz to 1Mhz) 25 °C
LS
Typical Series Inductance
5.0
nH
Measured lead to lead 5mm from package body
T
J =
25 °C
T
J = 125 °C
V
R = rated VR
Electrical Specifications
Parameters
50WQ...
Units
Conditions
(1) Pulse Width < 300μs, Duty Cycle < 2%
100
Absolute Maximum Ratings
Following any rated load condi-
tion and with rated V
RRM applied
A
Parameters
50WQ...
Units Conditions
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink
(*) dPtot
1
dTj
Rth( j-a)
T
J
Max. Junction Temperature Range (*) -40 to 150
°C
Tstg
Max. Storage Temperature Range
-40 to 150
°C
R
thJC Max. Thermal Resistance
3.0
°C/W DC operation
* See Fig. 4
Junction to Case
wt
Approximate Weight
0.3 (0.01) g (oz.)
Case Style
D-Pak
Similar to TO-252AA
Device Marking
50WQ10G
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
50WQ... Units
Conditions
One anode pin
connected
Two anode pins
connected
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 50WQ10GTRLPBF | 5.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 50WQ10G | 5.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 50WQ15FN-T4 | 5.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 50WQ15FN-G | 5.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 50WQ15FN | 5.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 50WQ10GTR | 功能描述:肖特基二极管与整流器 5.5 Amp 100 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 50WQ10GTRL | 功能描述:肖特基二极管与整流器 5.5 Amp 100 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 50WQ10GTRLPBF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 5.5 Amp 100 Volt 330 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 50WQ10GTRPBF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 5.5 Amp 100 Volt 330 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 50WQ10GTRR | 功能描述:肖特基二极管与整流器 5.5 Amp 100 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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