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参数资料
| 型号： | 50WQ10GTRRPBF |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 5.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 封装： | LEAD FREE, SIMILAR TO TO-252AA, D-PAK-3 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | 50WQ10GTRRPBF |
www.vishay.com
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
Document Number: 94236
2
Revision: 21-Apr-08
50WQ10GPbF
Vishay High Power Products Schottky Rectifier, 5.5 A
Note
(1) Pulse width < 300 s, duty cycle < 2 %
Note
(1)
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum forward voltage drop
See fig. 1
VFM (1)
5 A
TJ = 25 °C
0.77
V
10 A
0.91
5 A
TJ = 125 °C
0.63
10 A
0.74
Maximum reverse leakage current
See fig. 2
IRM (1)
TJ = 25 °C
VR = Rated VR
0.22
mA
TJ = 125 °C
4
Threshold voltage
VF(TO)
TJ = TJ maximum
0.47
V
Forward slope resistance
rt
21.46
m
Ω
Typical junction capacitance
CT
VR = 5 VDC (test signal range 100 kHz to 1 MHz) 25 °C
183
pF
Typical series inductance
LS
Measured lead to lead 5 mm from package body
5.0
nH
THERMAL - MECHANICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum junction and storage
temperature range
TJ (1), TStg
- 40 to 150
°C
Maximum thermal resistance,
junction to case
RthJC
DC operation
See fig. 4
3.0
°C/W
Approximate weight
0.3
g
0.01
oz.
Marking device
Case style D-PAK (similar to TO-252AA)
50WQ10G
dP
tot
dT
J
-------------
1
R
thJA
--------------
<
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PDF描述 |
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