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参数资料
| 型号： | 5962-3829411MZC |
| 厂商： | AUSTIN SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 8K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP28 |
| 封装： | 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 197K |
| 代理商： | 5962-3829411MZC |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5962-8685912UA | STANDARD SRAM |
| 5962-8751303VC | 4K X 1 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP18 |
| 5962-8766001GA | 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, MBCY8 |
| 5962-8768901VA | 8-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDIP18 |
| 5962-8770804UX | 12-BIT, MICROPROGRAM SEQUENCER, CQCC44 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 5962-3829412MXA | 功能描述:静态随机存取存储器 64K Asynchronous 8K x 8 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| 5962-3829412MZA | 功能描述:静态随机存取存储器 64K Asynchronous 8K x 8 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| 5962-3829413MXA | 功能描述:静态随机存取存储器 64K Asynchronous 8K x 8 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| 5962-3829413MZA | 功能描述:静态随机存取存储器 64K Asynchronous 8K x 8 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| 5962-3829414MXA | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Async Single 5V 64K-Bit 8K x 8 25ns 28-Pin CDIP Tube 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC SGL 5V 64KBIT 8KX8 25NS 28CDIP - Rail/Tube 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:64K Asynchronous 8K x 8 SRAM |
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