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参数资料
| 型号： | 5962-8956801ZX |
| 元件分类： | FIFO |
| 英文描述： | OTHER FIFO, 120 ns, CQCC32 |
| 封装： | CERAMIC, CC-32 |
| 文件页数： | 1/18页 |
| 文件大小： | 494K |
| 代理商： | 5962-8956801ZX |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5962-3829416MUC | 8K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, CQCC28 |
| 5962-9458501H9X | 128K X 32 EEPROM 5V MODULE, 300 ns, CQFP68 |
| 5962-9690203HTX | 256K X 16 STANDARD SRAM, 20 ns, CDSO44 |
| 5962-9471605H9X | 128K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 60 ns, CQFP68 |
| 5962-9461107HYX | 512K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 5962-8956806UA | 功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| 5962-8956806XA | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 4K x 9 28-Pin CDIP 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO ASYNC DUAL DEPTH/WIDTH UNI-DIR 4KX9 28CDIP - Rail/Tube |
| 5962-8956806ZA | 功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| 5962-8956807UA | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 4K x 9 28-Pin CDIP 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO ASYNC DUAL DEPTH/WIDTH UNI-DIR 4KX9 28CDIP - Rail/Tube |
| 5962-8956807XA | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 4K x 9 28-Pin CDIP 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO ASYNC DUAL DEPTH/WIDTH UNI-DIR 4KX9 28CDIP - Rail/Tube |
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