- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录136042 > 5KA24/1/750 (VISHAY SEMICONDUCTORS) 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 5KA24/1/750 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | PLASTIC, CASE P600, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | 5KA24/1/750 |
5KA10 thru 5KA36A
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88466
www.vishay.com
21-May-04
3
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
100
0
100
50
Peak
Pulse
Power
(P
PP
)or
Current
(I
PP
)
Derating
in
Percentage
(%)
P
PPM
,Peak
Pulse
Power
(KW)
0
1.0
2.0
3.0
4.0
Fig. 3 – Pulse Waveform
020
40
Fig. 4 – Typical Junction Capacitance
Cj,
Junction
Capacitance
(pF)
0
150
IPPM
-
Peak
Pulse
Current,
%
IRSM
TL, Lead Temperature
P
PM(A
V)
,Steady
State
Power
Dissipation
(W)
0
75
100
0
100000
Fig. 5 – Steady State Power
Derating Curve
Fig. 1 – Peak Pulse Power
Rating Curve
Fig. 2 – Pulse Derating Curve
t - Time (ms)
Number of Cycles at 60Hz
IFSM
,Peak
Forward
Surge
Current
(A)
1
10
100
Fig. 6 – Maximum Non-repetitive
Forward Surge Current
0.0001
1000
VWM - Reverse Stand-off Voltage (V)
TA, Ambient Temperature
td, Pulse Width (ms)
1
2
3
4
5
6
25
50
125
150
175
200
400
350
300
150
100
10000
1000
100
TJ = TJ max.
8.3ms Single Half Sine-Wave
(JEDEC Method)
10
30
75
50
25
0
200
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
10
1
100
50
Fig. 7 – Typical Transient Thermal
Impedance
tp- Pulse Duration (sec.)
T
ransient
Thermal
Impedance
(
°C/W)
100.0
10.0
1.0
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1000
250
200
Measured at
Zero Bias
Measured at Stand-off
Voltage VWM
Tj = 25°C
f = 1MHz
Vsig = 50mVp-p
Tj = 25°C
Pulse Width (td)
is defined as the point
where the peak current
decays to 50% of IPPM
tr = 10sec.
Peak Value IPPM
Half Value IPPM IPP
2
10/1000sec. Waveform
as defined by R.E.A
td
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5KP24CA | 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP43 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP64 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP9.0COX.160 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP8.0COX.200 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 5KASMC10A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount PAR? Transient Voltage Suppressors |
| 5KASMC10AHM3/57 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5KW 10V SMC RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 5KASMC10AHM3/9A | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 10V 5KW 2-Pin SMC T/R |
| 5KASMC10AHM3_A/H | 功能描述:TVS DIODE 17VC 294.1A DO214AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR? 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:10V 电压 - 击穿（最小值）:11.1V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:17V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:294.1A 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW） 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 185°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB（SMC） 标准包装:850 |
| 5KASMC10AHM3_A/I | 功能描述:TVS DIODE 17VC 294.1A DO214AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR? 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:10V 电压 - 击穿（最小值）:11.1V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:17V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:294.1A 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW） 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 185°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB（SMC） 标准包装:3,500 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。