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参数资料
| 型号： | 5KP11C-B |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | 5KP11C-B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5KP110B | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP110-13 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP12-13 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP13C-13 | 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP14CA-B | 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 5KP11CE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5000W, STAND-OFF VOLTAGE = 11V, ? 10%, BI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 5KW 11V 10% BIDIR P600 |
| 5KP11C-T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 10% bi-dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 5KP11C-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 11V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R |
| 5KP11E3/TR13 | 功能描述:TVS DIODE 11VWM 20.1VC P600 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:11V 电压 - 击穿（最小值）:12.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:20.1V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:249A 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:P600，轴向 供应商器件封装:P600 标准包装:500 |
| 5KP11-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:5000W Transient Voltage Suppressor |
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