参数资料
| 型号： | 5KP180CA-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS 5000W 180V BIDIR R-6 |
| 标准包装： | 250 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 180V |
| 电压 - 击穿： | 200V |
| 功率（瓦特）： | 5000W |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | R6，轴向 |
| 供应商设备封装： | R-6 |
| 包装： | 带盒（TB） |
5000W Transient Voltage Suppressor
COMCHIP
SMD Diodes Specialist
5KP-G Series
Stand-off Voltage: 6.8V ~ 220V
Power Dissipation: 5000 Watts
RoHS Device
Features
-Glass passivated chip.
R-6
-Low leakage.
-Uni and Bidirection unit.
1.0(25.4)
MIN.
0.052(1.32)
0.048(1.22)
DIA.
-Excellent clamping capability.
-The plastic material has UL recognition 94V-0.
-Fast response time.
0.360(9.14)
0.340(8.64)
Mechanical Data
-Case: Molded plastic R-6
-Polarity: By cathode band denotes uni-directional
device, none cathode band denotes bi-directional
1.0(25.4)
MIN.
0.360(9.14)
0.340(8.64)
DIA.
Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
device
-Weight: 2.1 grams
Dimensions in inches and (millimeter)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
O
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive loaded.
For capacitive load, derated current by 20%.
Power dissipation on infinite heatsink at T L =75 C
Parameter
Peak power dissipation with a 10/1000 μ s
waveform (Note 1)
Peak pulse current with a 10/1000 μ s waveform
(Note 1)
Peak forward surge current, 8.3ms single
half sine-wave unidirectional only (Note 2)
Maximum instantaneous forward voltage at
100A for uni-directional devices only (Note 3)
O
Symbol
P PP
I PP
P D
I FSM
V F
Value
5000
See Next Table
8.0
500
3.5 / 5.0
Unit
W
W
W
A
V
Operating junction and storage temperature
range
T J , T STG
-55 to +150
O
C
NTOES:
O
(1) Non-repetitive current pulse, per fig.5 and derated above T A =25 C per fig. 1.
(2) Measured on 8.3 ms single half sine wave of equivalent square wave,duty cycle=4 pulses per minute maximum.
(3) V F <3.5V for devices of V BR <200V and V F < 5.0V for devices of V BR > 201V
REV:B
QW-BTV08
Page 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 77311-124-04 | HDR STR SR .100 DP |
| 65863-335 | QKE HDR |
| 77311-418-02 | BERGSTIK HEADER STR |
| 5KP180A-G | TVS 5000W 180V UNI/DIR R-6 |
| 77313-122-06 | HDR STR DR .100 DP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 5KP180CA-HR | 功能描述:TVS DIODE 180VWM 292VC AXIAL 制造商:littelfuse inc. 系列:5KP-HR 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:180V 电压 - 击穿（最小值）:200V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:292V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:17.5A 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:P600，轴向 供应商器件封装:P600 标准包装:800 |
| 5KP180CA-HRA | 功能描述:TVS DIODE 180VWM 292VC AXIAL 制造商:littelfuse inc. 系列:5KP-HRA 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:180V 电压 - 击穿（最小值）:200V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:292V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:17.5A 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:P600，轴向 供应商器件封装:P600 标准包装:800 |
| 5KP180CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5KP180CA-TPTR-ND RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 5KP180C-B | 功能描述:TVS AXIAL HI POWER RoHS:否 类别:过电压，电流，温度装置 >> TVS - 二极管 系列:5KP 标准包装:3,000 系列:- 电压 - 反向隔离（标准值）:11V 电压 - 击穿:12.2V 功率（瓦特）:1000W 电极标记:单向 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商设备封装:SOD-123 包装:带卷 (TR) |
| 5KP180CE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5000W, STAND-OFF VOLTAGE = 180V, ? 10%, BI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 5KW 180V 10% BIDIR P600 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。