- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录136020 > 5KP22CA/1 (VISHAY SEMICONDUCTORS) 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 5KP22CA/1 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | PLASTIC, P600, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | 5KP22CA/1 |
0
50
100
150
200
0
25
50
75
100
25
75
125
175
0.1
s 1.0s
10
s
100
s
1.0ms
10ms
0.1
1.0
10
100
1
10
100
1000
100
1,000
10,000
100,000
1
10
100
200
300
400
500
450
350
250
0
25
50
75
100 125 150 175 200
0
6
8
4
2
Fig. 1 – Peak Pulse Power
Rating Curve
Fig. 5 – Steady State Power
Derating Curve
Fig. 6 – Max. Non-repetitive Forward
Surge Current (uni-directional only)
Fig. 2 – Pulse Power Derating Curve
Fig. 4 – Typical Junction Capacitance
Non-repetitive pulse
waveform shown in
Fig. 3 TA = 25°C
td, Pulse Width
P
PPM
,Peak
Pulse
Power
(kW)
TL, Lead Temperature (°C)
P
PM(AV)
,Steady
State
Power
Dissipation
(W)
VWM — Reverse Stand-off Voltage (V)
C
J
,Junction
Capacitance
(pF)
Number of Cycles at 60 HZ
I FSM
,Peak
Forward
Surge
Current
(A)
TA - Ambient Temperature (°C)
60 HZ
Resistive or Inductive Load
0.375" (9.5mm)
Lead Length
0.8 x 0.8 x 0.040" (20 x 20mm)
Copper Heat Sink
8.3ms Single Half Sine-Wave
(JEDEC Method)
0
50
100
150
I PPM
—
Peak
Pulse
Current,
%
I
RSM
Fig. 3 – Pulse Waveform
TJ = 25
°C
Pulse Width (td)
is defined as the point
where the peak current
decays to 50% of IPPM
tr = 10
sec.
Peak Value
IPPM
Half Value — IPP
IPPM
2
td
10/1000
sec. Waveform
as defined by R.E.A.
0
1.0
2.0
3.0
4.0
t — Time (ms)
Peak
Pulse
Power
(P
PP
)or
Current
(I
PP
)
Derating
in
Percentage,
%
Measured at
Zero Bias
Measured at
Stand-off Voltage,
VWM
TJ = 25°C
f = 1 MHz
Vsig = 50mVp-p
Uni-directional
Bi-Directional
Ratings and
Characteristic Curves
TA=25OC unless otherwise noted.
5KP5.0 thru 5KP110CA
TRANSZORB
Transient Voltage Supressors
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5KP5.0CA/4 | 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP58CA/23 | 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP70C | 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP90CA/23 | 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP45A | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 5KP22CA-B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5% bi-dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 5KP22CAE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5000W, STAND-OFF VOLTAGE = 22V, ? 5%, BI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 5KW 22V 5% BIDIR P600 |
| 5KP22CA-G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W VRWM=22V,Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 5KP22CA-HR | 功能描述:TVS DIODE 22VWM 35.5VC AXIAL 制造商:littelfuse inc. 系列:5KP-HR 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:22V 电压 - 击穿（最小值）:24V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:35.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:143.7A 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:P600，轴向 供应商器件封装:P600 标准包装:800 |
| 5KP22CA-HRA | 功能描述:TVS DIODE 22VWM 35.5VC AXIAL 制造商:littelfuse inc. 系列:5KP-HRA 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:22V 电压 - 击穿（最小值）:24V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:35.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:143.7A 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:P600，轴向 供应商器件封装:P600 标准包装:800 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。