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参数资料
| 型号： | 5KP26A-B |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | 5KP26A-B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5KP33A-T/B | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP13A-B | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP17-T/B | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP24A-T/R | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP60-T/R | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 5KP26A-E | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:TVS SGL UNI-DIR 26V 5KW 2PIN CASE P600 - Bulk |
| 5KP26A-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5KW 26V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 5KP26A-E3/23 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W 26V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 5KP26A-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W 26V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 5KP26A-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W 26V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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