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参数资料
型号： 5KP30A/4G
厂商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类： TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述： 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封装： PLASTIC, CASE P600, 2 PIN
文件页数： 3/6页
文件大小： 108K
代理商： 5KP30A/4G
5KP5.0 thru 5KP188A
Document Number 88308
Rev. 1.2, 27-Oct-04
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
formerly General Semiconductor
Notes:
(1) V(BR) measured after IT applied for 300 s IT = square wave pulse or equivalent
(2) Surge current waveform per Fig. 3 and derate per Fig. 2
(3) All items and symbols are consistent with ANSI/IEEE C62.35
5KP40
44.4
54.3
5.0
40.0
2.0
70.0
71.4
0.105
5KP40A
44.4
49.1
5.0
40.0
2.0
77.5
64.5
0.105
5KP43
47.8
58.4
5.0
43.0
2.0
65.2
76.7
0.105
5KP43A
47.8
52.8
5.0
43.0
2.0
72.0
69.4
0.105
5KP45
50.0
61.1
5.0
45.0
2.0
62.3
80.3
0.106
5KP45A
50.0
55.3
5.0
45.0
2.0
68.8
72.7
0.106
5KP48
53.3
65.2
5.0
48.0
2.0
58.5
85.5
0.106
5KP48A
53.3
58.9
5.0
48.0
2.0
64.6
77.4
0.106
5KP51
56.1
69.3
5.0
51.0
2.0
54.9
91.1
0.107
5KP51A
56.7
62.7
5.0
51.0
2.0
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82.4
0.107
5KP54
60.0
73.3
5.0
54.0
2.0
51.9
96.3
0.107
5KP54A
60.0
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5.0
54.0
2.0
57.4
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0.107
5KP58
64.4
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5.0
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2.0
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58.0
2.0
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60.0
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97
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2.0
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64.0
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70.0
2.0
40.0
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5.0
70.0
2.0
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0.108
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150
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2.0
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5KP188A
209
231
5.0
188
2.0
15.2
328
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Device
Type
Breakdown Voltage
V(BR)
(V)(1)
Test Current
at IT
(mA)
Stand-off
Voltage
VWM
(V)
Maximum
Reverse
Leakage
at VWM
ID (A)
Maximum
Peak Pulse
Current
IPPM
(2)
(A)
Maximum
Clamping
Voltage
at IPPM
VC (V)
Maximum
Temperature
Coefficient
of V(BR)
(% / °C)
MIN
MAX
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PDF描述
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