型号: | 5KP40-E3 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | PLASTIC, CASE P600, 2 PIN |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 108K |
代理商: | 5KP40-E3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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5KP9.0-E3 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
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5KP10A/51-E3 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
5KP110/71-E3 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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5KP40-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W 40V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
5KP40-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W 40V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
5KP40-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W 40V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
5KP40-E3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W 40V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
5KP40E3/TR13 | 功能描述:TVS DIODE 40VWM 71.4VC P600 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):40V 电压 - 击穿(最小值):44.4V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:71.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):70A 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:P600,轴向 供应商器件封装:P600 标准包装:500 |