型号: | 5KP43E3 |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AR |
封装: | PLASTIC, CASE 5A, 2 PIN |
文件页数: | 3/3页 |
文件大小: | 216K |
代理商: | 5KP43E3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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5KP90CAE3TR | 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AR |
5KP100TR | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AR |
5KP11ATR | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AR |
5KP22ATR | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AR |
5KP70CATR | 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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5KP43-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W 43V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
5KP43E3/TR13 | 功能描述:TVS DIODE 43VWM 76.7VC P600 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):43V 电压 - 击穿(最小值):47.8V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:76.7V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):65.2A 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:P600,轴向 供应商器件封装:P600 标准包装:500 |
5KP43-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:5000W Transient Voltage Suppressor |
5KP43HE3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5KW 43V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
5KP43J | 制造商:MIC 制造商全称:MIC GROUP RECTIFIERS 功能描述:PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |