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参数资料
| 型号： | 5KP51AMP |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | PLASTIC, P-6, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | 5KP51AMP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5KP12ATR | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP24TR | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP36ATR | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP45AMP | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP85ATR | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 5KP51APT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:VOLTAGE-5.0 TO 110 VOLTS 5000 WATTS PEAK POWER 8.0 WATTS STEADY STATE |
| 5KP51A-T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 5KP51A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE TVS 5000W 48V BIDIR R-6 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 5KP51-B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 51Vso 40VAC 61A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 5KP51C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 51Vso 40VAC 55A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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