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参数资料
| 型号： | 5KP58C-T |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | 5KP58C-T |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 502XCC001 | 12 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 530XBA004600950 | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 530XCG001 | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 531XCG002 | 7.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 532XCA004 | 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 5KP58C-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 58V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R |
| 5KP58-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W 58V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 5KP58-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W 58V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 5KP58-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W 58V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 5KP58-E3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W 58V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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