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参数资料
| 型号： | 5KP7.0A-A |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | 5KP7.0A-A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5KP8.0C-A | 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP85A-A | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP85CA-T | 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP100A-T | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP12A-A | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 5KP70A-B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 70Vso 54VAC 44A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 5KP70A-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5KW 70V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 5KP70A-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W 70V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 5KP70A-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W 70V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 5KP70A-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W 70V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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