参数资料
型号: 5LN01SS-TL-E
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP
标准包装: 8,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.8 欧姆 @ 50mA,4V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1.57nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 6.6pF @ 10V
功率 - 最大: 150mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 3-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 3-SSFP
包装: 带卷 (TR)
5LN01SS
mm
Outline Drawing
5LN01SS-TL-E, 5LN01SS-TL-H
Mass (g) Unit
0.0018
* For reference
Land Pattern Example
0.5
Unit: mm
0.45
0.45
0.45 0.45
No.6560-5/6
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PDF描述
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参数描述
5LN01SS-TL-H 功能描述:MOSFET NCH 1.5V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
5LN01S-TL-E 功能描述:MOSFET NCH 1.5V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
5LN02C 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
5LN02M 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
5LN02N 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:5LN02N