- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录91796 > 60EPS12 (VISHAY SEMICONDUCTORS) 60 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 60EPS12 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 60 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | MODIFIED TO-247AC, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | 60EPS12 |
2
60EPS.. SAFE
IR Series
Bulletin I2122 rev. B 01/05
www.irf.com
T
J
Max. Junction Temperature Range
- 40 to 150
°C
T
stg
Max. Storage Temperature Range
- 40 to 150
°C
R
thJC Max. Thermal Resistance Junction
0.35
°C/W
DCoperation
to Case
R
thJA Max. Thermal Resistance Junction
40
°C/W
toAmbient
R
thCS Typical Thermal Resistance, Case to
0.2
°C/W
Mounting surface , smooth and greased
Heatsink
wt
Approximate Weight
6 (0.21)
g(oz.)
T
MountingTorque
Min.
6 (5)
Max.
12 (10)
CaseStyle
TO-247AC
JEDEC(Modified)
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
60EPS..
Units
Conditions
Kg-cm
(Ibf-in)
Voltage Ratings
Part Number
V
RRM , maximum
V
RSM , maximum non repetitive
I
RRM
peak reverse voltage
150°C
VV
mA
60EPS08
800
900
1
60EPS12
1200
1300
60EPS16
1600
1700
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
1.07
V
@ 60A, T
J =
25°C
r
t
Forward slope resistance
3.96
m
VF(TO) Threshold voltage
0.74
V
I
RM
Max. Reverse Leakage Current
0.1
T
J =
25 °C
1.0
TJ = 150 °C
Electrical Specifications
Parameters
60EPS..
Units
Conditions
T
J =
150°C
V
R = rated VRRM
mA
I
F(AV) Max. Average Forward Current
60
A
@ T
C = 118° C, 180° conduction half sine wave
I
FSM
Max.PeakOneCycleNon-Repetitive
950
10ms Sine pulse, rated VRRMapplied
SurgeCurrent
1100
10msSine pulse,novoltagereapplied
I2t
Max. I2t for fusing
4512
10ms Sine pulse, rated V
RRMapplied
6300
10msSinepulse,novoltagereapplied
I2√t
Max. I2√t for fusing
63000
A2√s
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
Absolute Maximum Ratings
Parameters
60EPS..
Units
Conditions
A
A2s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 60EPS16 | 60 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| 60EPS16PBF | 60 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| 60EPS16 | 60 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 60EPU06PBF | 60 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 60APU06PBF | 60 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 60EPS12PBF | 功能描述:DIODE STD REC 1200V 60A TO247AC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 60EPS16 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INPUT RECTIFIER DIODE |
| 60EPS16PBF | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:1600V 60A Std. Recovery Diode TO-247AC (2-Pin) |
| 60EPSPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INPUT RECTIFIER DIODE Lead-Free |
| 60EPU02 | 功能描述:整流器 200 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。