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参数资料
| 型号： | 61CTQ045PBF |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | 61CTQ045PBF |
61CTQ045
3
Bulletin PD-20638 rev. A 12/01
www.irf.com
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
Reverse Voltage - V
R (V)
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
Forward Voltage Drop - V
FM (V)
Instantaneous
Forward
Current
-
I
F
(A)
Reverse Voltage - V
R (V)
Junction
Capacitance
-
C
T
(p
F
)
Fig. 4 - Max. Thermal Impedance Z thJC Characteristics
t1, Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Thermal
Impedance
Z
thJC
(°C/W)
Reverse
Current
-
I
R
(mA)
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
1
10
100
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Tj = 175C
Tj = 125C
Tj = 25C
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
10203040
50
100C
75C
50C
25C
Tj = 175C
125C
150C
100
1000
10000
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
T = 25C
J
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Single Pulse
(Thermal Resistance)
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
Notes:
1. Duty factor D = t1/ t2
2. Peak Tj = Pdm x ZthJC + Tc
2
t
1
t
P
DM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 61CTQ045 | 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 61M100 | 60 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 61M120 | 60 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 61M80 | 60 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 61CX12-D01 | 功能描述:基本/快动开关 HAZARDOUS LOCATION RoHS:否 制造商:Omron Electronics 触点形式:SPDT 执行器:Lever 电流额定值:5 A 电压额定值 AC:250 V 电压额定值 DC:30 V 功率额定值: 工作力:120 g IP 等级:IP 67 NEMA 额定值: 端接类型:Wire 安装:Panel |
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| 61CY22043 | 制造商:Grayhill 功能描述:- Bulk |
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