参数资料
型号: 644044-5
厂商: TE Connectivity
文件页数: 1/1页
文件大小: 0K
描述: 05P MTA100 CONN ASSY 30AU
标准包装: 500
系列: MTA-100
连接器类型: 插座
触点类型:: 母形插口
位置数: 5
间距: 0.100"(2.54mm)
行数: 1
安装类型: 自由悬挂
紧固型: 锁销滑道
电缆端接: IDC
导线类型: 离散式或带状缆线
线规: 28 AWG
特点: 闭端,带电极标记
触点表面涂层:
触点涂层厚度: 30µin(0.76µm)
颜色: 绿
包装: 散装
配套产品: 3-647019-5-ND - CONN RCPT 5POS 28AWG .100 GREEN
3-647018-5-ND - CONN RCPT 5POS 26AWG .100 BLUE
3-647016-5-ND - CONN RCPT 5POS 22AWG .100 RED
3-647011-5-ND - CONN RCPT 5POS 28AWG .100 GREEN
3-647010-5-ND - CONN RCPT 5POS 26AWG .100 BLUE
3-647009-5-ND - CONN RCPT 5POS 24AWG .100 WHITE
3-647008-5-ND - CONN RCPT 5POS 22AWG .100 RED
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PDF描述
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参数描述
644044-8 功能描述:集管和线壳 08P MTA100 CONN ASSY 30AU RoHS:否 产品种类:1.0MM Rectangular Connectors 产品类型:Headers - Pin Strip 系列:DF50 触点类型:Pin (Male) 节距:1 mm 位置/触点数量:16 排数:1 安装风格:SMD/SMT 安装角:Right 端接类型:Solder 外壳材料:Liquid Crystal Polymer (LCP) 触点材料:Brass 触点电镀:Gold 制造商:Hirose Connector
64-4047PBF 功能描述:MOSFET N-CH 250V 14A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):260 毫欧 @ 8.4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):810pF @ 25V 功率 - 最大值:144W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75
64-4051 功能描述:MOSFET N-CH 55V 16A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):58 毫欧 @ 9.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):380pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75
644051-2 制造商:TE Connectivity 功能描述:19P MTA156 HDR ASSY SQ W/O#7 - Bulk
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