参数资料
型号: 6A05G
元件分类: 整流器
英文描述: RECTIFIER DIODE
文件页数: 1/1页
文件大小: 86K
代理商: 6A05G
相关PDF资料
PDF描述
6A80G RECTIFIER DIODE
6A10G 6 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
6A2G 6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
6A4G 6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
6A6G 6 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
6A05-G 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:General Purpose Rectif
6A05G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:700
6A05G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:400
6A05G R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 50V 6A 2-Pin Case R-6 T/R
6A05G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000