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参数资料
| 型号： | 6A10B-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 60K |
| 描述： | RECTIFIER GP 1000V 6.0A R-6 |
| 标准包装： | 250 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 6A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 6A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 1000V |
| 电容@ Vr, F： | 100pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | R6，轴向 |
| 供应商设备封装： | R-6 |
| 包装： | 散装 |
     QW-BG014 Page 1 REV:A Parameter Symbol 6A005-G Unit Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage Maximum average forward rectified current O C 0.375"(9.5mm) lead length @TA=75 Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method) Maximum forward voltage at 6.0A DC =25°C Maximum reverse current TA at rated DC blocking voltage TA=100°C Operating temperature range Storage temperature range Typical junction capacitance (Note 1) Typical thermal resistance (Note 2) 50 35 50 VRRM VRMS VDC I(AV) IFSM VF IR CJ RθJA TJ TSTG 6.0 400 1.0 10 100 100 10 -55 ~ +125 -55 ~ +150 V V V A A V PF OC OC μA OC/W NOTES: 1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0Volts. 2. Thermal resistance from junction to ambient . V oltage: 50 to 1000 V Current: 6.0 A RoHS Device 6A005-G Thru. 6A10-G Dimensions in inches and (millimeter) R-6 Features -Low cost construction. -Dif fused Junction. -Low forward voltage drop. -High current capability . Mechanical data -Case: JEDEC R-6 molded plastic -Epoxy: UL 94V -0 rate flame retardant -Polarity: Color band denotes cathode -Mounting position: Any -W eight: 0.07ounce, 2.0 grams 6A01-G 100 70 100 6A02-G 200 140 200 6A04-G 400 280 400 6A06-G 600 420 600 6A08-G 800 560 800 6A10-G 1000 700 1000 0.360(9.10) 1.000(25.40) Min. 0.360(9.10) 0.052(1.30) 1.000(25.40) Min. 0.048(1.20) 0.340(8.60) 0.340(8.60) IR General Purpose Silicon Rectifiers Electrical Characteristics (at TA=25°C unless otherwise noted) Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load derate current by 20%. |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6A2-T | RECTIFIER SILICON 200V 6A R-6 |
| 70EPF04 | DIODE FAST REC 400V 70A POWIRTAB |
| 70UR60 G BK R | DIODE 600V 250A COM ANODE DO-9 |
| 75HQ045 | DIODE SCHOTTKY 45V 75A DO-5 |
| 85EPF04 | DIODE STD REC 400V 85A POWIRTAB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 6A10G | 功能描述:整流器 6.0 Amp 100 Volt 250 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 6A10-G | 功能描述:整流器 VR=1000 IO=6.0A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 6A10G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6，轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:700 |
| 6A10G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6，轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:400 |
| 6A10G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 100V 6A 2-Pin Case R-6 T/R |
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