参数资料
型号: 6A10G
厂商: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分类: 整流器
英文描述: 6 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装: PLASTIC, R-6, 2 PIN
文件页数: 3/4页
文件大小: 789K
代理商: 6A10G
1
100
4
0
100
200
300
8
Figure 5
Maximum Non-Repetitive Forward Surge Current
Peak Forward Surge Current - Amperes versus
Number Of Cycles At 60Hz - Cycles
Amps
Cycles
2
6
10 20
60 80
40
400
500
600
Figure 4
Typical Reverse Characteristics
Instantaneous Reverse Leakage Current - MicroAmperes versus
Percent Of Rated Peak Reverse Voltage - Volts
Volts
30
Amps
20
120
40
60
80
100
0
5
10
15
25
°C
140
6A
05G thru 6A10G
MCC
TA=60℃
Version: 2
2006/05/28
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
6A10-G 功能描述:整流器 VR=1000 IO=6.0A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
6A10G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:700
6A10G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:400
6A10G R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 100V 6A 2-Pin Case R-6 T/R
6A10G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000