- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录92451 > 6CWQ03F 6.6 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 6CWQ03F |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 6.6 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 6CWQ03F |
6CWQ03F, 6CWQ04F
PD-2.313 rev. A 12/97
2
www.irf.com
I
F(AV)
Max.AverageForwardCurrent
6.6
A
50% duty cycle @ T
C
= 97 °C, rectangular wave form
* See Fig. 5
I
FSM
Max.PeakOneCycleNon-Repetitive
470
5s Sine or 3s Rect. pulse
SurgeCurrent (Per Leg) *SeeFig.7
42
10ms Sine or 6ms Rect. pulse
Absolute Maximum Ratings
Parameters
6CWQ..F Units
Conditions
A
Part number
6CWQ03F
6CWQ04F
V
R
Max. DC Reverse Voltage (V)
V
RWM
Max. Working Peak Reverse Voltage (V)
30
40
Voltage Ratings
Following any rated
load condition and with
rated V
RRM
applied
(1) Pulse Width < 300s, Duty Cycle <2%
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
0.55
V
@ 3A
(Per Leg) * See Fig. 1
(1)
0.71
V
@ 6A
0.50
V
@ 3A
0.63
V
@ 6A
I
RM
Max. Reverse Leakage Current
3
mA
T
J
= 25 °C
(Per Leg) * See Fig. 2
(1)
20
mA
T
J
= 125 °C
C
T
Typical Junction Capacitance (Per Leg)
180
pF
V
R
= 5V
DC
, (test signal range 100Khz to 1Mhz) 25°C
L
S
Typical Series Inductance (Per Leg)
5.0
nH
Measured lead to lead 5mm from package body
dv/dt Max. Voltage Rate of Change
10,000
V/ s
(Rated V
R
)
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
= rated V
R
Parameters
6CWQ..F Units
Conditions
Electrical Specifications
T
J
Max.JunctionTemperatureRange
-40to125
°C
T
stg
Max.StorageTemperatureRange
-40to125
°C
R
thJC
Max.ThermalResistanceJunction
5.0
°C/W
DCoperation
* See Fig. 4
toCase
R
thJA
Max.ThermalResistanceJunction
80
°C/W
DCoperation
toAmbient
PCBoardmountedprintland=20x20mm
wt
ApproximateWeight
0.3(0.01)
g(oz.)
Case Style
D - PAK
SimilartoTO-252AA
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
6CWQ..F Units
Conditions
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6CWQ04F | 6.6 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 6CWQ03GTRLPBF | 3.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 6CWQ03GTRL | 3.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 6CWQ03GTRR | 3.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 6CWQ03GTR | 3.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 6CWQ03FN | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7.0 Amp 30 Volt Common Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 6CWQ03FNPBF | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Schottky 30V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube 制造商:Vishay 功能描述:Diode Schottky 30V 7A 3-Pin (2+Tab) DPAK Tube Bulk 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:6CWQ03FNPbF Series 30 V 7 A High Frequency Schottky Rectifier - TO-252AA 制造商:Vishay 功能描述:Diode Schottky 30V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
| 6CWQ03FNPBF_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 3.5 A |
| 6CWQ03FNTR | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7.0 Amp 30 Volt Common Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 6CWQ03FNTRL | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7.0 Amp 30 Volt Common Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。