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参数资料
| 型号： | 6CWQ10G |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
| 封装： | SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | 6CWQ10G |
6CWQ10G
2
Preliminary Data Sheet PD-20986 09/04
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
0.81
V
@ 3A
(Per Leg) * See Fig. 1
(1)
0.96
V
@ 6A
0.63
V
@ 3A
0.74
V
@ 6A
I
RM
Max. Reverse Leakage Current
0.15
mA
TJ = 25 °C
(Per Leg) * See Fig. 2
(1)
4.9
mA
TJ = 125 °C
VF(TO) Threshold Voltage
0.48
V
T
J = TJ max.
rt
Forward Slope Resistance
30.89
m
CT
Typ. Junction Capacitance (Per Leg)
92
pF
VR = 5VDC (test signal range 100Khz to 1Mhz) 25°C
L
S
Typical Series Inductance (Per Leg)
5.0
nH
Measured lead to lead 5mm from package body
dv/dt Max. Voltage Rate of Change
10000
V/s (Rated V
R)
T
J = 25 °C
T
J = 125 °C
Electrical Specifications
(1) Pulse Width < 300s, Duty Cycle <2%
V
R = rated VR
Part number
6CWQ10G
VR
Max. DC Reverse Voltage (V)
V
RWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)
Voltage Ratings
100
Parameters
6CWQ... Units
Conditions
I
F(AV) Max. Average Forward (Per Leg)
3.5
A
50% duty cycle @ T
C = 135°C, rectangular wave form
Current * See Fig. 5 (Per Device)
7
I
FSM
Max.PeakOneCycleNon-Repetitive
440
5s Sine or 3s Rect. pulse
SurgeCurrent (PerLeg) *SeeFig.7
70
10ms Sine or 6ms Rect. pulse
E
AS
Non-Repetit.Avalanche Energy(PerLeg)
5.0
mJ
T
J = 25 °C, IAS = 1 Amp, L = 10 mH
I
AR
Repetitive Avalanche Current
0.5
A
Current decaying linearly to zero in 1 sec
(Per Leg)
Frequency limited by T
J max. VA = 1.5 x VR typical
Absolute Maximum Ratings
Following any rated
load condition and with
rated VRRM applied
A
Parameters
6CWQ... Units
Conditions
T
J
Max. Junction Temperature Range (*) -40 to 150
°C
T
stg
Max. Storage Temperature Range
-40 to 150
°C
R
thJC Max. Thermal Resistance(Per Leg)
4.70
°C/W DC operation
* See Fig. 4
Junction to Case
(Per Device)
2.35
wt
Approximate Weight
0.3 (0.01) g (oz.)
Case Style
D-Pak
Similar to TO-252AA
Device Marking
6CWQ10G
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
6CWQ... Units
Conditions
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink
(*) dPtot
1
dTj
Rth( j-a)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6CWQ10GTRLPBF | 3.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
| 6CWQ10GTR | 3.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
| 6CWQ10GTRPBF | 3.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
| 6CWQ10GTRRPBF | 3.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
| 6CWQ10GTRL | 3.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 6CWQ10GPBF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7.0 Amp 100 Volt Common Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 6CWQ10GTR | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7.0 Amp 100 Volt Common Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 6CWQ10GTRL | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7.0 Amp 100 Volt Common Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 6CWQ10GTRLPBF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 2x3.5 Amp 100 Volt 440 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 6CWQ10GTRPBF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 2x3.5 Amp 100 Volt 440 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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