70T633S10BFI8

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说明
操作

70T633S10BFI8
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
250000
IDT
最新批次
-
质量保障价格及优

70T633S10BFI8
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008-1009室
资质：营业执照
5000
IDT, Integrated Device Te
标准封装
16+
-
假一罚十

70T633S10BFI8
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖先生
电话：13612973190
地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室
9000
Renesas
208-LFBGA
22+
-
原厂渠道，现货配单

70T633S10BFI8
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：18998919871
地址：深圳市福田区振兴路上步工业区405栋6楼601-602
0
IDT
管件
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

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制造商
Integrated Device Technology Inc
功能描述
SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 512K x 18 10ns 208-Pin CABGA T/R
制造商
Integrated Device Technology Inc
功能描述
SRAM ASYNC DUAL 2.5V 9MBIT 512KX18 10NS 208FPBGA - Tape and Reel
制造商
Integrated Device Technology Inc
功能描述
512K X 18 STD-PWR, 2.5V DUAL PORT RAM

70T633S10BFI8 技术参数

70T633S10BFI 功能描述:静态随机存取存储器 512K X 18 STD-PWR, 2.5V DUAL PORT RAM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70T633S10BFG8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 512K x 18 10ns 208-Pin CABGA T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:208 FPBGA - Tape and Reel 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:512K X 18 STD-PWR, 2.5V DUAL PORT RAM 70T633S10BFG 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 512K x 18 10ns 208-Pin CABGA Tray 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:208 FPBGA - Bulk 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:512K X 18 STD-PWR, 2.5V DUAL PORT RAM 70T633S10BF8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 512K x 18 10ns 208-Pin CABGA T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 2.5V 9MBIT 512KX18 10NS 208FPBGA - Tape and Reel 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:512K X 18 STD-PWR, 2.5V DUAL PORT RAM 70T633S10BF 功能描述:静态随机存取存储器 512K X 18 STD-PWR, 2.5V DUAL PORT RAM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70T633S15BC8 70T651S10BC 70T651S10BC8 70T651S10BCI 70T651S10BCI8 70T651S10BF 70T651S10BF8 70T651S10BFG 70T651S10BFGI 70T651S10BFGI8 70T651S10BFI 70T651S10BFI8 70T651S10DR 70T651S12BC 70T651S12BC8 70T651S12BCI 70T651S12BCI8 70T651S12BF