型号: | 70V658S10BFG8 |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 5/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | 70V658S10BFG8 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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71V016SA12Y | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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70V658S10DR | 功能描述:静态随机存取存储器 64Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
70V658S10DRG | 功能描述:静态随机存取存储器 64Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
70V658S12BC | 功能描述:静态随机存取存储器 64Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
70V658S12BC8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Async Dual 3.3V 2.25M-Bit 64K x 36 12ns 256-Pin CABGA T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 3.3V 2.25MBIT 64KX36 12NS 256BGA - Tape and Reel 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:64Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM |
70V658S12BCI | 功能描述:静态随机存取存储器 64Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |