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参数资料
| 型号： | 73M1916-IVTR/F |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 25/88页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MICRODAA SET FXO OF VOIP 20TSSOP |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | MicroDAA™ |
| 功能： | 数据存取装置（DAA） |
| 接口： | PCM，SPI |
| 电路数： | 1 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 20-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 包括： | * |
| 其它名称： | 73M1916-IVTR/FDKR |
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DS_1x66B_001
73M1866B/73M1966B Data Sheet
Rev. 1.6
31
4.3
Over-Voltage and EMI Protection
Over-voltage protection is required to meet worst-case conditions for target countries. UL1950,
EN60950, IEC 60950, ITU-T K.20/K.21 and GR-1089-CORE specifications define the protection
requirements for many countries. A single design can be implemented to meet all these requirements.
Figure 14 shows a recommended protection circuit topology. Fuse (F1) should be rated appropriately for
the country of operation, and the bidirectional thyristor (E1) should have a minimum break-over of 220 V,
a maximum break-over of 275 V and be able to survive a 100 A fast transient. In addition to over-voltage
and current protection, the 73M1x66B should make provisions to prevent EMI emissions and EMC
susceptibility. Figure 14 also illustrates how L1, L2, C35, C36 and C41can provide this suppression. The
ferrite beads, L1 and L2,
should be capable of passing 150 mA and have an impedance of 2K Ω at 100
MHz. C35, C36 and C41 should be between 47pF and 220nF, and rated for a breakdown voltage greater
than the highest isolation voltage or line voltage that is required for country compatibility. C35 and C36
should be returned to an earth ground. EMI suppression is highly dependent on the physical design of
the overall circuit and not all the suppression components may be needed in every design and
application.
C35
220pF, 3kV
C36
220pF, 3kV
L1
2K Ohm @ 100MHz
F1
TR600-150
L2
2K Ohm @ 100MHz
J1
RJ-11
1
2
3
4
5
6
E1
P3100SBRP
or equiv .
T
R
C41
220pF, 300V
Figure 14: Suggested Over-Voltage Protection and EMI Suppression Circuit
Table 28: Reference Bill of Materials for Figure 14
Reference
Part Description
Source
Example MFR P/N
E1
Bidirectional Thyristor
Diodes Inc., Bourns
TB3100H-13-H,
TISP4290T3BJR-S
F1
PPTC Fuse
Tyco, Bourns
MF-R015/600 or equiv.
L1,L2
2 KΩ @ 100 MHz, 150 mA min, 0805
Steward, TDK
MPZ2012S601A
C35, C36
220 pF, 3000 V
TDK
C4532COG3F221K
C41
220 pF, 300 V
Vishay
VJ1206Y221KXEAT5Z
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 73M1966B-DB-C | 功能描述:网络开发工具 73M1966B Demo Brd w/GUI Cable RoHS:否 制造商:Rabbit Semiconductor 产品:Development Kits 类型:Ethernet to Wi-Fi Bridges 工具用于评估:RCM6600W 数据速率:20 Mbps, 40 Mbps 接口类型:802.11 b/g, Ethernet 工作电源电压:3.3 V |
| 73M1966B-EVM | 功能描述:网络开发工具 73M1966 Demo Brd & MotherBrd RoHS:否 制造商:Rabbit Semiconductor 产品:Development Kits 类型:Ethernet to Wi-Fi Bridges 工具用于评估:RCM6600W 数据速率:20 Mbps, 40 Mbps 接口类型:802.11 b/g, Ethernet 工作电源电压:3.3 V |
| 73M1966B-IM/F | 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述: |
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