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参数资料
| 型号： | 74ACTQ04MTC |
| 元件分类： | 电容 |
| 英文描述： | CERAMIC CHIP/MIL-PRF-55681 |
| 中文描述： | 陶瓷芯片/mil-prf-55681 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 58K |
| 代理商： | 74ACTQ04MTC |
74ACT10
3/8
DC SPECIFICATIONS
1) Maximum test duration 2ms, one output loaded at time
2) Incident wave switching is guaranteed on trasmission lines with impedances as low as 50
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(C
L
= 50 pF, R
L
= 500
, Input t
r
= t
f
= 3ns)
(*) Voltage range is 5.0V
±
0.5V
CAPACITIVE CHARACTERISTICS
1) C
PD
is defined as the value of the IC’s internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without
load. (Refer to Test Circuit). Average operating current can be obtained by the following equation. I
CC(opr)
=C
PD
x V
CC
x f
IN
+I
CC
/3 (per gate)
Symbol
Parameter
Test Condition
Value
Unit
V
CC
(V)
T
A
= 25
°
C
-40 to 85
°
C
-55 to 125
°
C
Min.
Typ.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
V
IH
High Level Input
Voltage
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
V
O
= 0.1 V or
V
CC
-0.1V
V
O
= 0.1 V or
V
CC
-0.1V
I
O
=-50
μ
A
I
O
=-50
μ
A
I
O
=-24 mA
I
O
=-24 mA
I
O
=50
μ
A
I
O
=50
μ
A
I
O
=24 mA
I
O
=24 mA
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
1.5
4.49
5.49
2.0
2.0
2.0
2.0
V
V
IL
Low Level Input
Voltage
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
V
V
OH
High Level Output
Voltage
4.4
5.4
3.86
4.86
4.4
5.4
3.76
4.76
4.4
5.4
3.7
4.7
V
V
OL
Low Level Output
Voltage
0.001
0.1
0.1
0.1
5.5
4.5
5.5
0.001
0.1
0.36
0.36
0.1
0.44
0.44
0.1
0.5
0.5
I
I
Input Leakage Cur-
rent
Max I
CC
/Input
Quiescent Supply
Current
5.5
V
I
= V
CC
or GND
±
0.1
±
1
±
1
μ
A
I
CCT
I
CC
5.5
V
I
= V
CC
- 2.1V
0.6
1.5
1.6
mA
5.5
V
I
= V
CC
or GND
4
40
80
μ
A
I
OLD
I
OHD
Dynamic Output
Current (note 1, 2)
5.5
V
OLD
= 1.65 V max
V
OHD
= 3.85 V min
75
-75
50
-50
mA
mA
Symbol
Parameter
Test Condition
Value
Unit
V
CC
(V)
T
A
= 25
°
C
-40 to 85
°
C
-55 to 125
°
C
Min.
Typ.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
t
PLH
t
PHL
Propagation Delay
Time
5.0
(*)
1.5
4.5
9.0
1.0
10.0
1.0
10.0
ns
Symbol
Parameter
Test Condition
Value
Unit
V
CC
(V)
T
A
= 25
°
C
-40 to 85
°
C
-55 to 125
°
C
Min.
Typ.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
C
IN
C
PD
Input Capacitance
5.0
4.0
pF
Power Dissipation
Capacitance (note
1)
5.0
f
IN
= 10MHz
37.0
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 74ACTQ04MTCX | CERAMIC CHIP/MIL-PRF-55681 |
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| 74ACTQ04SCQR | CERAMIC CHIP/MIL-PRF-55681 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 74ACTQ04MTC_Q | 功能描述:变换器 Hex inverter Quiet Series RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| 74ACTQ04MTCX | 功能描述:变换器 Hex inverter Quiet Series RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| 74ACTQ04PC | 功能描述:变换器 Hex Inverter RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| 74ACTQ04PC_Q | 功能描述:变换器 Hex Inverter RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| 74ACTQ04SC | 功能描述:变换器 Hex Inverter RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
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