参数资料
| 型号： | 74AHCT1G08GW,125 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC 2-IN AND GATE 5-TSSOP |
| 产品培训模块： | Logic Packages |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | 74AHCT |
| 逻辑类型： | 与门 |
| 电路数： | 1 |
| 输入数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 1µA |
| 输出电流高，低： | 8mA，8mA |
| 逻辑电平 - 低： | 0.8V |
| 逻辑电平 - 高： | 2V |
| 额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟： | 7.9ns @ 5V，50pF |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | 5-TSSOP |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 830 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 568-4463-6 |
74AHC_AHCT1G08_6
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 29 June 2007
5 of 11
NXP Semiconductors
74AHC1G08; 74AHCT1G08
2-input AND gate
11. Dynamic characteristics
[1]
tpd is the same as tPLH and tPHL.
[2]
Typical values are measured at VCC = 3.3 V.
[3]
Typical values are measured at VCC = 5.0 V.
[4]
CPD is used to determine the dynamic power dissipation PD (W).
PD =CPD × VCC2 × fi + ∑ (CL × VCC2 × fo) where:
fi = input frequency in MHz; fo = output frequency in MHz;
CL = output load capacitance in pF;
VCC = supply voltage in Volts
ICC
supply current VI =VCC or GND; IO = 0 A;
VCC = 5.5 V
-
1.0
-
10
-
40
A
ICC
additional
supply current
per input pin; VI = 3.4 V;
other inputs at VCC or GND;
IO = 0 A; VCC = 5.5 V
-
1.35
-
1.5
-
1.5
mA
CI
input
capacitance
-
1.5
10
-
10
-
10
pF
Table 7.
Static characteristics …continued
Voltages are referenced to GND (ground = 0 V).
Symbol Parameter
Conditions
25
°C
40 °C to +85 °C 40 °C to +125 °C Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
Table 8.
Dynamic characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
25
°C
40 °C to +85 °C 40 °C to +125 °C Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
For type 74AHC1G08
tpd
propagation
delay
A and B to Y;
see Figure 5
VCC = 3.0 V to 3.6 V
CL = 15 pF
-
4.6
8.8
1.0
10.5
1.0
12.0
ns
CL = 50 pF
-
6.5
12.3
1.0
14.0
1.0
16.0
ns
VCC = 4.5 V to 5.5 V
CL = 15 pF
-
3.2
5.9
1.0
7.0
1.0
8.0
ns
CL = 50 pF
-
4.6
7.9
1.0
9.0
1.0
10.5
ns
CPD
power
dissipation
capacitance
per buffer;
CL = 50 pF; f = 1 MHz;
VI = GND to VCC
-17-
-
pF
For type 74AHCT1G08
tpd
propagation
delay
A and B to Y;
see Figure 5
VCC = 4.5 V to 5.5 V
CL = 15 pF
-
3.6
6.2
1.0
7.1
1.0
8.0
ns
CL = 50 pF
-
5.1
7.9
1.0
9.0
1.0
10.5
ns
CPD
power
dissipation
capacitance
per buffer;
CL = 50 pF; f = 1 MHz;
VI = GND to VCC
-19-
-
pF
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| 74AHCT1G08GW-Q100,125 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| 74AHCT1G08GW-R | 功能描述:逻辑门 2-INPUT AND GATE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
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