参数资料
| 型号： | 74AUP1G0832GS,132 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 18/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE AND/OR 3-IN 6X2SON |
| 标准包装： | 5,000 |
| 系列： | 74AUP |
| 逻辑类型： | 与/或门 |
| 电路数： | 1 |
| 输入数： | 3 输入（2，1） |
| 施密特触发器输入： | 是 |
| 输出类型： | 单端 |
| 输出电流高，低： | 4mA，4mA |
| 电源电压： | 0.8 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 6-XSON，SOT1202（1x1） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 74AUP1G0832GS132 |
74AUP1G0832
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NXP B.V. 2012. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 5 — 22 June 2012
8 of 19
NXP Semiconductors
74AUP1G0832
Low-power 3-input AND-OR gate
11. Dynamic characteristics
Table 9.
Dynamic characteristics
Voltages are referenced to GND (ground = 0 V); for test circuit see Figure 10.
Symbol Parameter
Conditions
25
°C
40 °C to +125 °C
Unit
Min
Typ[1]
Max
Min
Max
(85
°C)
Max
(125
°C)
CL = 5 pF
tpd
propagation delay A, B or C to Y; see Figure 9
VCC = 0.8 V
-
19.5
-
ns
VCC = 1.1 V to 1.3 V
2.5
5.6
11.1
2.2
11.3
12.4
ns
VCC = 1.4 V to 1.6 V
1.9
3.9
6.4
2.0
6.9
7.6
ns
VCC = 1.65 V to 1.95 V
1.6
3.1
5.1
1.5
5.7
6.3
ns
VCC = 2.3 V to 2.7 V
1.4
2.4
3.7
1.3
4.2
4.6
ns
VCC = 3.0 V to 3.6 V
1.3
2.2
3.2
1.2
3.5
3.9
ns
CL = 10 pF
tpd
propagation delay A, B or C to Y; see Figure 9
VCC = 0.8 V
-
23.1
-
ns
VCC = 1.1 V to 1.3 V
2.8
6.5
12.7
2.5
12.9
14.2
ns
VCC = 1.4 V to 1.6 V
2.2
4.5
7.4
2.3
8.0
8.8
ns
VCC = 1.65 V to 1.95 V
2.0
3.7
5.9
1.8
6.6
7.3
ns
VCC = 2.3 V to 2.7 V
1.8
3.0
4.4
1.6
4.9
5.4
ns
VCC = 3.0 V to 3.6 V
1.6
2.7
3.9
1.5
4.2
4.6
ns
CL = 15 pF
tpd
propagation delay A, B or C to Y; see Figure 9
VCC = 0.8 V
-
26.6
-
ns
VCC = 1.1 V to 1.3 V
3.2
7.3
14.2
2.8
14.7
16.2
ns
VCC = 1.4 V to 1.6 V
2.5
5.1
8.3
2.6
9.1
10.0
ns
VCC = 1.65 V to 1.95 V
2.3
4.2
6.7
2.0
7.5
8.3
ns
VCC = 2.3 V to 2.7 V
2.1
3.4
5.0
1.9
5.6
6.2
ns
VCC = 3.0 V to 3.6 V
1.9
3.2
4.5
1.8
4.8
5.3
ns
CL = 30 pF
tpd
propagation delay A, B or C to Y; see Figure 9
VCC = 0.8 V
-
34.8
-
ns
VCC = 1.1 V to 1.3 V
4.1
9.5
19.0
3.6
19.8
21.8
ns
VCC = 1.4 V to 1.6 V
3.3
6.6
11.0
3.3
12.1
13.3
ns
VCC = 1.65 V to 1.95 V
3.0
5.5
8.8
2.6
10.0
11.0
ns
VCC = 2.3 V to 2.7 V
2.8
4.5
6.6
2.5
7.4
8.3
ns
VCC = 3.0 V to 3.6 V
2.6
4.3
5.9
2.4
6.4
7.0
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参数描述 |
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| 74AUP1G0832GW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:IC 3 INPUT AND-OR GATE XSON6 |
| 74AUP1G0832GW,125 | 功能描述:逻辑门 1.8V LOW-POW 3-INPUT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| 74AUP1G0832GW-G | 功能描述:逻辑门 1.8V LOW-POW 3-INPUT AND-OR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| 74AUP1G08FS3-7 | 功能描述:AND Gate IC 1 Channel 4-X2DFN (0.80x0.80) 制造商:diodes incorporated 系列:74AUP 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 逻辑类型:与门 电路数:1 输入数:2 特性:- 电压 - 电源:0.8 V ~ 3.6 V 电流 - 静态（最大值）:0.5μA 电流 - 输出高，低:4mA，4mA 逻辑电平 - 低:0.7 V ~ 0.9 V 逻辑电平 - 高:1.6 V ~ 2 V 不同 V，最大 CL 时的最大传播延迟:6.2ns @ 3.3V，30pF 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:4-X2DFN（0.80x0.80） 封装/外壳:4-XFDFN 裸露焊盘 标准包装:1 |
| 74AUP1G08FW4-7 | 功能描述:逻辑门 AUP CMOS 2-Input AND 6.3pF 0.8 to 3.6 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
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