参数资料
| 型号： | 74HC58D,652 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DUAL AND-OR GATE 14-SOIC |
| 产品培训模块： | Logic Packages |
| 标准包装： | 1,140 |
| 系列： | 74HC |
| 逻辑类型： | 与/或门 |
| 电路数： | 2 |
| 输入数： | 10 输入（3，3，2，2） |
| 施密特触发器输入： | 无 |
| 输出类型： | 单端 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SO |
| 包装： | 管件 |
December 1990
2
Philips Semiconductors
Product specication
Dual AND-OR gate
74HC58
FEATURES
Output capability: standard
ICC category: SSI
GENERAL DESCRIPTION
The 74HC58 is a high-speed Si-gate CMOS device and is pin compatible with low power Schottky TTL (LSTTL).
It is specified in compliance with JEDEC standard no. 7A.
The “58” provides two sections of AND-OR gates. One section contains a 2-wide, 3-input (1A to 1F) AND-OR gate and
the second section contains a 2-wide, 2-input (2A to 2D) AND-OR gate.
QUICK REFERENCE DATA
GND = 0 V; Tamb = 15 °C; tr = tf = 6 ns
Notes
1. CPD is used to determine the dynamic power dissipation (PD in W):
PD = CPD × VCC2 × fi + ∑ (CL × VCC2 × fo) where:
fi = input frequency in MHz
fo = output frequency in MHz
CL = output load capacitance in pF
VCC = supply voltage in V
∑ (CL × VCC2 × fo) = sum of outputs
2. For HC the condition is VI = GND to VCC
ORDERING INFORMATION
See
“74HC/HCT/HCU/HCMOS Logic Package Information”.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYPICAL
UNIT
HC
tPHL/ tPLH
propagation delay
CL = 15 pF; VCC = 5 V
1n to 1Y
11
ns
2n to 2Y
9
ns
CI
input capacitance
3.5
pF
CPD
power dissipation capacitance per
gate
notes 1 and 2
18
pF
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