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参数资料
型号： 74HCT574D,652
厂商： NXP Semiconductors
文件页数： 15/19页
文件大小： 0K
描述： IC FLIP FLOP OCTAL D 3ST 20SOIC
产品培训模块： Logic Packages
标准包装： 38
系列： 74HCT
功能： 标准
类型： D 型总线
输出类型： 三态非反相
元件数： 1
每个元件的位元数： 8
频率 - 时钟： 69MHz
延迟时间 - 传输： 18ns
触发器类型： 正边沿
电源电压： 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
包装： 管件
产品目录页面： 837 (CN2011-ZH PDF)
其它名称： 568-3976-5
74HCT574D
74HCT574D-ND
933715630652
74HC_HCT574
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NXP B.V. 2012. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 5 — 25 April 2012
5 of 19
NXP Semiconductors
74HC574; 74HCT574
Octal D-type flip-flop; positive edge-trigger; 3-state
8.
Recommended operating conditions
9.
Static characteristics
Table 5.
Recommended operating conditions
Voltages are referenced to GND (ground = 0 V)
Symbol Parameter
Conditions
74HC574
74HCT574
Unit
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
VCC
supply voltage
2.0
5.0
6.0
4.5
5.0
5.5
V
VI
input voltage
0
-
VCC
0-
VCC
V
VO
output voltage
0
-
VCC
0-
VCC
V
Tamb
ambient temperature
40
+25
+125
40
+25
+125
°C
Δt/ΔV
input transition rise and fall rate
VCC = 2.0 V
-
625
-
ns/V
VCC = 4.5 V
-
1.67
139
-
1.67
139
ns/V
VCC = 6.0 V
-
83
-
ns/V
Table 6.
Static characteristics
At recommended operating conditions; voltages are referenced to GND (ground = 0 V).
Symbol Parameter
Conditions
25
°C
40 °C to +85 °C 40 °C to +125 °C Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
74HC574
VIH
HIGH-level
input voltage
VCC = 2.0 V
1.5
1.2
-
1.5
-
1.5
-
V
VCC = 4.5 V
3.15
2.4
-
3.15
-
3.15
-
V
VCC = 6.0 V
4.2
3.2
-
4.2
-
4.2
-
V
VIL
LOW-level
input voltage
VCC = 2.0 V
-
0.8
0.5
-
0.5
-
0.5
V
VCC = 4.5 V
-
2.1
1.35
-
1.35
-
1.35
V
VCC = 6.0 V
-
2.8
1.8
-
1.8
-
1.8
V
VOH
HIGH-level
output voltage
VI =VIH or VIL
IO =
20 μA; VCC = 2.0 V
1.9
2.0
-
1.9
-
1.9
-
V
IO =
20 μA; VCC = 4.5 V
4.4
4.5
-
4.4
-
4.4
-
V
IO =
20 μA; VCC = 6.0 V
5.9
6.0
-
5.9
-
5.9
-
V
IO =
6.0 mA; VCC = 4.5 V 3.98 4.32
-
3.84
-
3.7
-
V
IO =
7.8 mA; VCC = 6.0 V 5.48 5.81
-
5.34
-
5.2
-
V
VOL
LOW-level
output voltage
VI =VIH or VIL
IO =20
μA; VCC = 2.0 V
-
0
0.1
-
0.1
-
0.1
V
IO =20
μA; VCC = 4.5 V
-
0
0.1
-
0.1
-
0.1
V
IO =20
μA; VCC = 6.0 V
-
0
0.1
-
0.1
-
0.1
V
IO = 6.0 mA; VCC = 4.5 V
-
0.15
0.26
-
0.33
-
0.4
V
IO = 7.8 mA; VCC = 6.0 V
-
0.16
0.26
-
0.33
-
0.4
V
II
input leakage
current
VI =VCC or GND;
VCC =6.0 V
--
±0.1
-
±1.0
-
±1.0
μA
IOZ
OFF-state
output current
VI =VIH or VIL;
VO =VCC or GND;
VCC =6.0 V
--
±0.5
-
±5.0
-
±10.0
μA
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