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参数资料
| 型号： | 74LVC1G99GT,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 9/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CONFIG MULTI-FUNC GATE 8-XSON |
| 产品培训模块： | Logic Packages |
| 特色产品： | MicroPak? |
| 标准包装： | 5,000 |
| 系列： | 74LVC |
| 逻辑类型： | 可配置多功能 |
| 电路数： | 1 |
| 输入数： | 4 |
| 施密特触发器输入： | 是 |
| 输出类型： | 三态 |
| 输出电流高，低： | 32mA，32mA |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 8-XSON，SOT833-1 （1.95x1） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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74LVC1G99
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NXP B.V. 2013. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 8 — 5 April 2013
17 of 32
NXP Semiconductors
74LVC1G99
Ultra-configurable multiple function gate; 3-state
[1]
All typical values are measured at nominal VCC.
[2]
tpd is the same as tPLH and tPHL.
[3]
ten is the same as tPZH and tPZL.
[4]
tdis is the same as tPHZ and tPLZ.
[5]
CPD is used to determine the dynamic power dissipation (PD in W).
PD =CPD VCC2 fi N+ (CL VCC2 fo) where:
fi = input frequency in MHz;
fo = output frequency in MHz;
CL = output load capacitance in pF;
VCC = supply voltage in V;
N = number of inputs switching;
(C
L VCC
2
f
o) = sum of the outputs.
ten
enable time
OE to Y; see Figure 22
VCC = 1.65 V to 1.95 V
-
5.7
-
2.0
25.2
32.0
ns
VCC = 2.3 V to 2.7 V
-
3.8
-
1.4
11.3
14.0
ns
VCC = 2.7 V
-
4.2
-
1.4
8.6
11.0
ns
VCC = 3.0 V to 3.6 V
-
3.5
-
1.4
7.0
9.0
ns
VCC = 4.5 V to 5.5 V
-
2.7
-
1.4
4.7
6.0
ns
tdis
disable time
OE to Y; see Figure 22
VCC = 1.65 V to 1.95 V
-
5.7
-
3.0
15.0
19.0
ns
VCC = 2.3 V to 2.7 V
-
3.6
-
2.0
5.8
7.3
ns
VCC = 2.7 V
-
4.5
-
2.0
6.6
8.2
ns
VCC = 3.0 V to 3.6 V
-
4.5
-
2.1
5.9
7.4
ns
VCC = 4.5 V to 5.5 V
-
3.4
-
1.0
4.5
5.6
ns
CPD
power dissipation
capacitance
per buffer (output enabled);
fi = 10 MHz; CL = 50 pF;
VI = GND to VCC
VCC = 1.65 V to 1.95 V
-
14
-
pF
VCC = 2.3 V to 2.7 V
-
16
-
pF
VCC = 2.7 V
-
18
-
pF
VCC = 3.0 V to 3.6 V
-
25
-
pF
VCC = 4.5 V to 5.5 V
-
30
-
pF
Table 24.
Dynamic characteristics …continued
Voltages are referenced to GND (ground = 0 V; for test circuit see Figure 23.
Symbol Parameter
Conditions
25
C
40 C to +125 C
Unit
Min
Typ[1]
Max
Min
Max
(85
C)
Max
(125
C)
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| 74LVC1G99GT-G | 功能描述:逻辑门 3V 1G LOW-P ULTRA CONFIG GATE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| 74LVC1GU04 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Inverter |
| 74LVC1GU04DBVRE4 | 功能描述:逻辑门 Single Inverter Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| 74LVC1GU04DBVRG4 | 功能描述:变换器 Single Inverter Gate RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| 74LVC1GU04DBVTE4 | 功能描述:逻辑门 Single Inverter Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
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