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参数资料
| 型号： | 74LVC377PW,112 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 9/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OCT D FF POS-EDG TRIG 20TSSOP |
| 产品培训模块： | Logic Packages |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | 74LVC |
| 功能： | 标准 |
| 类型： | D 型总线 |
| 输出类型： | 非反相 |
| 元件数： | 1 |
| 每个元件的位元数： | 8 |
| 频率 - 时钟： | 150MHz |
| 延迟时间 - 传输： | 1.5ns |
| 触发器类型： | 正边沿 |
| 输出电流高，低： | 24mA，24mA |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 74LVC377PW 74LVC377PW-ND 935210680112 |
74LVC377_6
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NXP B.V. 2012. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 20 November 2012
3 of 15
NXP Semiconductors
74LVC377
Octal D-type flip-flop with data enable; positive-edge trigger
6.
Functional description
[1]
H = HIGH voltage level
h = HIGH voltage level one set-up time prior to the LOW to HIGH CP transition
L = LOW voltage level
l = LOW voltage level one set-up time prior to the LOW to HIGH CP transition
= LOW to HIGH CP transition
NC = no change
X = don’t care
7.
Limiting values
[1]
The minimum input voltage ratings may be exceeded if the input current ratings are observed.
[2]
The output voltage ratings may be exceeded if the output current ratings are observed.
[3]
For SO20 packages: above 70
C derate linearly with 8 mW/K.
For (T)SSOP20 packages: above 60
C derate linearly with 5.5 mW/K.
Q[0:7]
2, 5, 6, 9, 12, 15, 16, 19
flip-flop output
GND
10
ground (0 V)
VCC
20
power supply
Table 2.
Pin description ?ontinued
Symbol
Pin
Description
Table 3.
Function table[1]
Operating mode
Control
Input
Output
CP
E
Dn
Qn
Load 1
Ih
H
Load 0
IIL
Hold
hX
NC
Do nothing
X
H
X
NC
Table 4.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Voltages are referenced to GND (ground = 0 V).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VCC
supply voltage
0.5
+6.5
V
VI
input voltage
0.5
+5.5
V
VO
output voltage
0.5
VCC + 0.5
V
IIK
input clamping current
VI < 0 V
50
-
mA
IO
output current
VO = 0 V to VCC
-
50
mA
IOK
output clamping current
VO > VCC or VO < 0 V
-
50
mA
ICC
supply current
-
100
mA
IGND
ground current
100
-
mA
Tstg
storage temperature
65
+150
C
Ptot
total power dissipation
Tamb = 40 C to +125 C
[3] -
500
mW
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