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参数资料
| 型号： | 74VHCT00AM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE NAND QUAD 2INPUT 14SOIC |
| 标准包装： | 55 |
| 系列： | 74VHCT |
| 逻辑类型： | 与非门 |
| 电路数： | 4 |
| 输入数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 2µA |
| 输出电流高，低： | 8mA，8mA |
| 逻辑电平 - 低： | 0.8V |
| 逻辑电平 - 高： | 2V |
| 额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟： | 7.9ns @ 5V，50pF |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | 14-SOIC |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
74VHCT00A Rev. 1.4.0
4
74VHCT00A
—
Quad
2-Input
NAND
Gate
DC Electrical Characteristics
Noise Characteristics
Note:
5. Parameter guaranteed by design.
AC Electrical Characteristics
Note:
6. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance, which is calculated from the operating
current consumption without load. Average operating current can be obtained from the equation:
ICC (Opr.) = CPD VCC fIN + ICC / 4 (per gate)
Symbol
Parameter
VCC (V)
Conditions
TA = 25°C
TA = –40°C
to +85°C
Units
Min.
Typ.
Max.
Min.
Max.
VIH
HIGH Level Input
Voltage
4.5
2.0
V
5.5
2.0
VIL
LOW Level Input
Voltage
4.5
0.8
V
5.5
0.8
VOH
HIGH Level Output
Voltage
4.5
VIN = VIH
or VIL
IOH = –50A
4.40
4.50
4.40
V
IOH = –8mA
3.94
3.80
VOL
LOW Level Output
Voltage
4.5
VIN = VIH
or VIL
IOL = 50A
0.0
0.1
V
IOL = 8mA
0.36
0.44
IIN
Input Leakage
Current
0 – 5.5
VIN = 5.5V or GND
±0.1
±1.0
A
ICC
Quiescent Supply
Current
5.5
VIN = VCC or GND
2.0
20.0
A
ICCT
Maximum ICC / Input
5.5
VIN = 3.4V, Other
Inputs
= V
CC or GND
1.35
1.50
mA
IOFF
Output Leakage
Current (Power
Down State)
0.0
VOUT = 5.5V
0.5
5.0
A
Symbol
Parameter
Conditions
VCC (V)
TA = 25°C
Units
Typ.
Limit
VOLP
(5)
Quiet Output Maximum Dynamic VOL
CL = 50pF
5.0
0.4
0.8
V
VOLV
(5)
Quiet Output Minimum Dynamic VOL
CL = 50pF
5.0
–0.4
–0.8
V
VIHD
(5)
Minimum HIGH Level Dynamic Input Voltage
CL = 50pF
5.0
2.0
V
VILD
(5)
Maximum LOW Level Dynamic Input Voltage
CL = 50pF
5.0
0.8
V
Symbol
Parameter
VCC (V)
Conditions
TA = 25°C
TA = –40°C
to +85°C
Units
Min.
Typ.
Max.
Min.
Max.
tPLH, tPHL
Propagation Delay
5.0 ± 0.5
CL = 15pF
5.0
6.9
1.0
8.0
ns
CL = 50pF
5.5
7.9
1.0
9.0
CIN
Input Capacitance
VCC = Open
4
10
pF
CPD
Power Dissipation
Capacitance
(6)
17
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OSTTT122180 | TERM BLOCK PLUG 3.5MM 12POS |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 74VHCT00AM_Q | 功能描述:逻辑门 Qd 2-Input NAND Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| 74VHCT00AMTC | 功能描述:逻辑门 Qd 2-Input NAND Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| 74VHCT00AMTC_Q | 功能描述:逻辑门 Qd 2-Input NAND Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| 74VHCT00AMTCX | 功能描述:逻辑门 Qd 2-Input NAND Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| 74VHCT00AMTCX_NL | 功能描述:逻辑门 FINISHED GOOD RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
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