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参数资料
| 型号： | 7N60A-x-TF3-T |
| 厂商： | 友顺科技股份有限公司 |
| 英文描述： | 7 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET |
| 中文描述： | 七安培，600/650伏特N通道MOSFET |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | 7N60A-X-TF3-T |
7N60A
Power MOSFET
T Y PICAL CHARACTERIST ICS
2
16
4
Drain Source Voltage, V
DS
(V)
Drain Current vs. Drain-Source Voltage
20
8
4
12
16
2
8
6
12
20
2
GS
(V)
Drain Current vs. Gate-Source Voltage
10
4
8
10
-1
10
0
10
1
6
V
GS
=-2V
-3V
-2.5V
-4.5V
V
GS
Top 10V
9V
8V
7V
6V
5V
Buttom: 4V
6
10
14
18
18
14
10
150
25
Note:
1. V
DS
=10V
2. Pulse test
-55
Gate Source Voltage, V
0
2.0
0.8
Drain Current, I
D
(A)
ON Resistance vs. Drain Current
25
10
5
15
20
0
1.0
1.5
2.5
0.4
V
SD
(V)
Reverse Drain Current vs.
Source Drain Voltage
1.4
0.6
Source Drain Voltage,
8
10
-1
10
0
10
1
0.8
V
GS
=20V
150
25
Note:
1. V
DS
=10V
2. Pulse test
V
GS
=10V
Note:
1. T
d
=25
2. Pulsed test
1.2
1.0
0.1
1000
10
Drain Source Voltage, V
DS
(A)
Capacitance vs. Drain Source Voltage
100
1
10
1
100
10000
Total Gate Charge, Q
G
(nC)
Gate Source Voltage vs. Total Gate Charge
35
5
25
0
5
10
15
30
20
C
ISS
C
OSS
C
RSS
Note:
1. V
GS
: 0V
2. f = 1MHz
3. T
C
= 25
Note:
1. I
D
= 7A
2. T
C
= 25
V
DD
= 300V
V
DD
= 80V
V
DD
= 200V
10
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
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,A
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