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参数资料
| 型号： | 80143 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | HERMEITC SEALED, 55BT, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 223K |
| 代理商： | 80143 |
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80143
1.0 Watts, 15 Volts, Class A
Linear to 2300 MHz
GENERAL DESCRIPTION
The 80143 is a COMMON EMITTER transistor capable of providing 1.0
Watts of Class A, RF output power to 2300 MHz. This transistor is
specifically designed for general Class A amplifier applications. It utilizes
gold metalization and diffused ballasting to provide high reliability and
supreme ruggedness. The transistor uses a fully hermetic High Temperature
Solder Sealed package.
CASE OUTLINE
55BT, STYLE 2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Maximum Power Dissipation @ 25 C
4.5 Watts
o
Maximum Voltage and Current
BVces
Collector to Emitter Voltage
50 Volts
BVebo
Emitter to Base Voltage
3.5 Volts
Ic
Collector Current
0.6 Amps
Maximum Temperatures
Storage Temperature
- 65 to + 200 C
o
Operating Junction Temperature
+ 200 C
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 C
O
SYMBOL
CHARACTERISTICS
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Pout
Pin
Pg
Ft
VSWR
Power Out
Power Input
Power Gain
Transition Frequency
Load Mismatch Tolerance
F = 2.3 GHz
Ic = 200 mA
Vcc = 15 Volts
Vce = 15V, Ic =200
mA
1.0
9.0
4.2
10.0
4.5
0.125
10:1
Watts
dB
GHz
BVebo
BVces
BVceo
h
FE
Cob
θjc
Emitter to Base Breakdown
Collector to Emitter Breakdown
DC Current Gain
Capacitance
Thermal Resistance
Ie = 2 mA
Ic = 20 mA
Vce = 5 V, Ic = 200 mA
Vcb = 28V, f = 1 MHz
3.5
50
20
3.4
30
Volts
pF
C/W
o
Initial Issue June, 1994
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PDF描述 |
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