参数资料
型号: 89CNQ150ASM
厂商: Vishay Semiconductors
文件页数: 4/8页
文件大小: 200K
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 40A D61-8-SM
标准包装: 20
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 990mV @ 40A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1.5mA @ 150V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 40A
电压 - (Vr)(最大): 150V
二极管类型: 肖特基
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 通孔,径向
封装/外壳: D-61-8-SM
供应商设备封装: D-61-8-SM
包装: 散装
其它名称: *89CNQ150ASM
89CNQ...A Series
4
Bulletin PD-20046 rev. C 07/02
www.irf.com
Fig. 7 - Max. Non-Repetitive Surge Current (Per Leg)
Fig. 5 - Max. Allowable Case Temperature
Vs. Average Forward Current (Per Leg)
Fig. 8 - Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics
(Per Leg)
(2)
Formula used: TC
= T
J
- (Pd + Pd
REV) x RthJC ;
Pd = Forward Power Loss = IF(AV)
x V
FM
@ (I
F(AV)
/ D) (see Fig. 6);
PdREV
= Inverse Power Loss = V
R1
x I
R
(1 - D); I
R
@ V
R1 = Rated VR
Allowable Case Temperature (°C)
FREE-WHEEL
DIODE
40HFL40S02
CURRENT
MONITOR
HIGH-SPEED
SWITCH
IRFP460
L
DUT
Rg = 25 ohm
Vd = 25 Volt
+
Average Power Loss (Watts)
Average Forward Current - IF(AV)
(A)
Average Forward Current - IF(AV)
(A)
Non-Repetitive Surge Current - I
FSM
(A)
Square Wave Pulse Duration - tp
(microsec)
80
0 102030405060
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
DC
see note (2)
Square wave (D = 0.50)
Rated Vr applied
100
10 100 1000 10000
1000
10000
At Any Rated Load Condition
And With Rated Vrrm Applied
Following Surge
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参数描述
89CNQ150S2 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V PRM2 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):80A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.14V @ 80A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 150V 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:PRM2 供应商器件封装:PRM2 标准包装:48
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89CNQ150SM 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 150V 40A Through Hole PRM2-SM 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):40A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.14V @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 150V 安装类型:通孔 封装/外壳:PRM2-SM 供应商器件封装:PRM2-SM 标准包装:48
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